IRF830A steht für den Kauf zur Verfügung, befindet sich aber normalerweise nicht auf Lager.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Vishay Siliconix
Vorrätig: 1.855
Stückpreis : 2,58000 €
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
Vorrätig: 956
Stückpreis : 1,67000 €
Datenblatt

Ähnlich


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 424
Stückpreis : 2,80000 €
Datenblatt

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onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : 1,08241 €
Datenblatt

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Infineon Technologies
Vorrätig: 719
Stückpreis : 10,34000 €
Datenblatt

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Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 4,62680 €
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Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

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Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 6,11418 €
Datenblatt

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Infineon Technologies
Vorrätig: 2.578
Stückpreis : 10,60000 €
Datenblatt

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Infineon Technologies
Vorrätig: 260
Stückpreis : 7,38000 €
Datenblatt

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Infineon Technologies
Vorrätig: 368
Stückpreis : 7,47000 €
Datenblatt

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Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 1.000
Stückpreis : 5,72000 €
Datenblatt

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Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 1,80042 €
Datenblatt
SIHP23N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF830A

DigiKey-Teilenr.
IRF830A-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF830A
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 5 A (Tc) 74W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRF830A Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,4Ohm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
620 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
74W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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