Vishay Siliconix Einzelne FETs, MOSFETs

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von 5.008

Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
SI3443DDV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP Vishay Siliconix	63.118 Vorrätig	1 : 0,38000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,08171 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	4 A (Ta), 5,3 A (Tc)	2,5V, 4,5V	47mOhm bei 4,5A, 4,5V	1,5V bei 250µA	30 nC @ 8 V	±12V	970 pF @ 10 V	-	1,7W (Ta), 2,7W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSOP	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
SI2347DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3 Vishay Siliconix	16.677 Vorrätig	1 : 0,38000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,08171 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	5 A (Tc)	4,5V, 10V	42mOhm bei 3,8A, 10V	2,5V bei 250µA	22 nC @ 10 V	±20V	705 pF @ 15 V	-	1,7W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 300MA TO236 Vishay Siliconix	262.648 Vorrätig	1 : 0,43000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,09461 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	300mA (Ta)	4,5V, 10V	2Ohm bei 500mA, 10V	2,5V bei 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	30 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2308CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3 Vishay Siliconix	30.150 Vorrätig	1 : 0,45000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,09905 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET® Gen IV	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	2,6 A (Tc)	4,5V, 10V	144mOhm bei 1,9A, 10V	3V bei 250µA	4 nC @ 10 V	±20V	105 pF @ 30 V	-	1,6W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2356DS-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236 Vishay Siliconix	75.710 Vorrätig	1 : 0,46000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,10244 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	4,3 A (Tc)	2,5V, 10V	51mOhm bei 3,2A, 10V	1,5V bei 250µA	13 nC @ 10 V	±12V	370 pF @ 20 V	-	960mW (Ta), 1,7W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23 Vishay Siliconix	32.817 Vorrätig	1 : 0,48000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,10718 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,3 A (Ta), 3,6 A (Tc)	4,5V, 10V	60mOhm bei 3,2A, 10V	2,2V bei 250µA	6.7 nC @ 10 V	±20V	235 pF @ 15 V	-	1,1W (Ta), 1,7W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3 Vishay Siliconix	71.843 Vorrätig	1 : 0,50000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,11335 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	5,6 A (Tc)	4,5V, 10V	42mOhm bei 4,3A, 10V	2,5V bei 250µA	9 nC @ 10 V	±20V	340 pF @ 20 V	-	1,25W (Ta), 2,1W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 Vishay Siliconix	35.554 Vorrätig	1 : 0,50000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,11335 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	8 V	5,8 A (Tc)	1,8V, 4,5V	35mOhm bei 4,4A, 4,5V	1V bei 250µA	30 nC @ 8 V	±8V	960 pF @ 4 V	-	960mW (Ta), 1,7W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1308EDL-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323 Vishay Siliconix	23.049 Vorrätig	1 : 0,50000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,11335 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	1,4 A (Tc)	2,5V, 10V	132mOhm bei 1,4A, 10V	1,5V bei 250µA	4.1 nC @ 10 V	±12V	105 pF @ 15 V	-	400mW (Ta), 500mW (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SC-70-3	SC-70, SOT-323
SI2387DS-T1-GE3 P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1 Vishay Siliconix	31.807 Vorrätig	1 : 0,53000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,12092 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET® Gen IV	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	80 V	2,1A (Ta), 3A (Tc)	4,5V, 10V	164mOhm bei 2,1A, 10V	2,5V bei 250µA	10.2 nC @ 10 V	±20V	395 pF @ 40 V	-	1,3W (Ta), 2,5W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2369DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 Vishay Siliconix	11.001 Vorrätig	1 : 0,57000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13212 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	7,6 A (Tc)	4,5V, 10V	29mOhm bei 5,4A, 10V	2,5V bei 250µA	36 nC @ 10 V	±20V	1295 pF @ 15 V	-	1,25W (Ta), 2,5W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3 Vishay Siliconix	9.235 Vorrätig	1 : 0,57000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13212 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	12 V	6 A (Tc)	1,5V, 4,5V	28mOhm bei 5A, 4,5V	1V bei 250µA	35 nC @ 8 V	±8V	1275 pF @ 6 V	-	1,2W (Ta), 1,7W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 Vishay Siliconix	164.007 Vorrätig	1 : 0,60000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13748 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,1 A (Tc)	2,5V, 4,5V	112mOhm bei 2,8A, 4,5V	1V bei 250µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	405 pF @ 10 V	-	860mW (Ta), 1,6W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2312CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3 Vishay Siliconix	58.915 Vorrätig	1 : 0,60000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13748 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	6 A (Tc)	1,8V, 4,5V	31,8mOhm bei 5A, 4,5V	1V bei 250µA	18 nC @ 5 V	±8V	865 pF @ 10 V	-	1,25W (Ta), 2,1W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 Vishay Siliconix	59.991 Vorrätig	1 : 0,61000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,14338 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3,1 A (Tc)	2,5V, 4,5V	112mOhm bei 2,8A, 4,5V	1V bei 250µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	405 pF @ 10 V	-	860mW (Ta), 1,6W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI3127DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP Vishay Siliconix	42.014 Vorrätig	1 : 0,63000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,14808 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	3,5 A (Ta), 13 A (Tc)	4,5V, 10V	89mOhm bei 1,5A, 4,5V	3V bei 250µA	30 nC @ 10 V	±20V	833 pF @ 20 V	-	2W (Ta), 4,2W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSOP	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
SI2319DDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23 Vishay Siliconix	78.509 Vorrätig	1 : 0,65000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,15274 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET® Gen III	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	2,7 A (Ta), 3,6 A (Tc)	4,5V, 10V	75mOhm bei 2,7A, 10V	2,5V bei 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	650 pF @ 20 V	-	1W (Ta), 1,7W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2302CDS-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 Vishay Siliconix	74.549 Vorrätig	1 : 0,66000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,15507 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	2,6 A (Ta)	2,5V, 4,5V	57mOhm bei 3,6A, 4,5V	850mV bei 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	-	-	710mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIA483DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Vishay Siliconix	53.434 Vorrätig	1 : 0,66000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,15507 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	12 A (Tc)	4,5V, 10V	21mOhm bei 5A, 10V	2,2V bei 250µA	45 nC @ 10 V	±20V	1550 pF @ 15 V	-	3,5W (Ta), 19W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	PowerPAK® SC-70-6	PowerPAK® SC-70-6
SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 Vishay Siliconix	47.947 Vorrätig	1 : 0,66000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,15507 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	2,6 A (Ta)	2,5V, 4,5V	57mOhm bei 3,6A, 4,5V	850mV bei 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	-	-	710mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2342DS-T1-GE3 MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 Vishay Siliconix	39.530 Vorrätig	1 : 0,66000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,15507 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	8 V	6 A (Tc)	1,2V, 4,5V	17mOhm bei 7,2A, 4,5V	800mV bei 250µA	15.8 nC @ 4.5 V	±5V	1070 pF @ 4 V	-	2,5W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2307CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 Vishay Siliconix	32.275 Vorrätig	1 : 0,66000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,15507 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3,5 A (Tc)	4,5V, 10V	88mOhm bei 3,5A, 10V	3V bei 250µA	6.2 nC @ 4.5 V	±20V	340 pF @ 15 V	-	1,1W (Ta), 1,8W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIB456DK-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75 Vishay Siliconix	8.769 Vorrätig	1 : 0,66000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,15507 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	6,3 A (Tc)	4,5V, 10V	185mOhm bei 1,9A, 10V	3V bei 250µA	5 nC @ 10 V	±20V	130 pF @ 50 V	-	2,4W (Ta), 13W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	PowerPAK® SC-75-6	PowerPAK® SC-75-6
SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 Vishay Siliconix	51.147 Vorrätig	1 : 0,70000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,16661 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	1,6 A (Tc)	4,5V, 10V	345mOhm bei 1,25A, 10V	3V bei 250µA	4.1 nC @ 4.5 V	±20V	210 pF @ 30 V	-	1W (Ta), 1,7W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3 Vishay Siliconix	26.294 Vorrätig	1 : 0,73000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,17232 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	4,4 A (Tc)	4,5V, 10V	77mOhm bei 3,1A, 10V	2,5V bei 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	595 pF @ 20 V	-	1,25W (Ta), 2,5W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

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