N-Kanal Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 32.429
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCEVVOFairchild Semiconductor
Serie
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™BSS
Verpackung
Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablettTasche
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5 V5.5 V8 V9 V10 V12 V15 V16 V18 V20 V22 V24 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)40mA (Ta)50mA (Ta)50mA (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,29mOhm bei 50A, 10V0,3mOhm bei 200A, 10V0,35mOhm bei 50A, 10V0,4 mOhm bei 50A, 10V0,4mOhm bei 150A, 10V0,4mOhm bei 30A, 10V0,42mOhm bei 50A, 10V0,44mOhm bei 88A, 10V0,45mOhm bei 30A, 10V0,45mOhm bei 30A, 7V0,45mOhm bei 50A, 10V0,45mOhm bei 60A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id
0.4V @ 250µA400mV bei 1mA (Min)400mV bei 250µA (Min)450mV bei 1mA (Min)450mV bei 250µA (Min)450mV bei 2mA (Min)500mV bei 250µA (Min)570mV bei 1mA (typisch)600mV bei 1,2mA (Min)600mV bei 1mA (Min)600mV bei 250µA (Min)650mV bei 1mA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
-10V-10V, +20V-8V, +19V+0,6V, -12V4,2V bei 1mA±5V+5,5V, -0,3V+5,5V, -300mV±5,5V+5.75V, -4V+6V, -10V+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2.195 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6 pF @ 3 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7.1 pF @ 10 V
FET-Merkmal
-Mit VerarmungsschichtSchottky-Diode (Körper)Schottky-Diode (isoliert)StrommessungTemperaturmessdiode
Verlustleistung (max.)
400µW (Ta)400µW100mW (Ta)100mW120mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-60°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 100°C-55°C bis 110°C (TA)-55°C bis 125°C (TA)-55°C bis 125°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 135°C (TJ)-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C
Klasse
-AutomobiltechnikMilitärtechnik
Qualifizierung
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/601MIL-PRF-19500/603MIL-PRF-19500/614MIL-STD-750
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-PICOSTAR3-PMCP3-PQFN (5x6)
Gehäuse / Hülle
2-DFN mit freiliegendem Pad3-DFN mit freiliegendem Pad3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Nicht standardmäßiges3-SMD, SOT-23-3 Variante3-SMD, flache Anschlüsse
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
32.429Resultate
Angewandte Filter Alle entfernen

Angezeigt werden
von 32.429
Vergleichen
Herst.-Teilenr.
Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
31.273
Vorrätig
1 : 0,16000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,02719 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
593.760
Vorrätig
1 : 0,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03129 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
30.495
Vorrätig
1 : 0,19000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03257 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V200mA (Ta)10V3,5Ohm bei 220mA, 10V1,5V bei 250µA-±20V50 pF @ 10 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
0
Vorrätig
Informationen zur Lieferzeit
1 : 0,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03360 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V320mA (Ta)4,5V, 10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,3V bei 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1.492.830
Vorrätig
1 : 0,21000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03504 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V200mA (Ta)1,2V, 2,5V1,2Ohm bei 100mA, 2,5V1V bei 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
494.564
Vorrätig
1 : 0,21000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03648 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm bei 240mA, 10V2,5V bei 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW (Tj)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.196.013
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,02917 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,4V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
678.658
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03790 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,4V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
61.555
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,02854 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V400mA (Ta)4,5V, 10V1,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageCST3SC-101, SOT-883
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
6.134
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03689 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm bei 240mA, 10V2,6V bei 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4.906.235
Vorrätig
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04186 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V800mA (Ta)1,5V, 4,5V235mOhm bei 800mA, 4,5V1V bei 1mA1 nC @ 4.5 V±8V55 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageSSMSC-75, SOT-416
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
851.872
Vorrätig
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03873 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm bei 300mA, 10V1,5V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C bis 150°C (TA)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
836.344
Vorrätig
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03916 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V200mA (Ta)0,9V, 4,5V2,2Ohm bei 200mA, 4,5V800mV bei 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageUMT3FSC-85
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
793.871
Vorrätig
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,06926 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V6,5 A (Ta)1,8V, 4,5V22mOhm bei 6,5A, 4,5V1V bei 250µA16 nC @ 4.5 V±8V1160 pF @ 10 V-1,4W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-33-SMD, SOT-23-3 Variante
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
20.758
Vorrätig
1 : 0,24000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,03139 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V350mA (Ta)5V, 10V2,8Ohm bei 200mA, 10V2,1V bei 250µA1 nC @ 10 V±20V23.6 pF @ 10 V-350mW (Ta), 3,1 W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-883SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
838.852
Vorrätig
1 : 0,25000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04182 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V350mA (Ta)10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,1V bei 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
731.313
Vorrätig
Für dieses Produkt gilt eine maximale Einkaufsmenge
1 : 0,25000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,03898 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V100mA (Ta)1,2V, 4,5V3,5OhmA 100mA, 4,5V1V bei 100µA-±8V7.1 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageVMT3SOT-723
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
262.230
Vorrätig
1 : 0,25000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04122 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V170mA (Ta)10V6Ohm bei 170mA, 10V2V bei 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
110.903
Vorrätig
1 : 0,25000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04164 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V115mA (Tc)5V, 10V7,5Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
977.541
Vorrätig
1 : 0,26000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04390 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V320mA (Ta)10V1,6Ohm bei 300mA, 10V1,5V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C bis 150°C (TA)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
859.413
Vorrätig
1 : 0,26000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04390 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
676.008
Vorrätig
1 : 0,26000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04388 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V300mA (Tc)10V5Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW (Ta)-65°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
329.771
Vorrätig
1 : 0,26000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04374 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V150mA (Ta)10V6Ohm bei 120mA, 10V2,8V bei 1mA-±20V40 pF @ 25 V-250mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
212.986
Vorrätig
1 : 0,26000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04390 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
277.248
Vorrätig
1 : 0,27000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04452 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V3Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA0.6 nC @ 10 V±20V20 pF @ 25 V-500mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontagePG-SOT23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Angezeigt werden
von 32.429

N-Kanal Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.