N-Kanal Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 32.885
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCEVVO
Serie
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AP4NA2R2HCAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Verpackung
Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablettTasche
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5 V5.5 V8 V9 V10 V12 V15 V16 V18 V20 V22 V24 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
150µA (Ta)520µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)40mA (Ta)50mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V0V, 10V0V, 18V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,5V1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,29mOhm bei 50A, 10V0,3mOhm bei 200A, 10V0,35mOhm bei 50A, 10V0.36mOhm @ 100A, 10V0,39mOhm bei 100A, 10V0,4 mOhm bei 50A, 10V0,4mOhm bei 150A, 10V0,4mOhm bei 30A, 10V0,42mOhm bei 50A, 10V0,44mOhm bei 88A, 10V0,45mOhm bei 30A, 10V0,45mOhm bei 30A, 7V
Vgs(th) (max.) bei Id
400mV bei 1mA (Min)400mV bei 250µA400mV bei 250µA (Min)450mV bei 1mA (Min)450mV bei 250µA (Min)450mV bei 2mA (Min)500mV bei 250µA (Min)570mV bei 1mA (typisch)600mV bei 1,2mA (Min)600mV bei 1mA (Min)600mV bei 250µA (Min)650mV bei 1mA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
-10V-10V, +20V-8V, +19V+0,6V, -12V4,2V bei 1mA±5V+5,5V, -0,3V+5,5V, -300mV+5,5V, -4V±5,5V+5.75V, -4V+6V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4.5 pF @ 5 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7 pF @ 10 V7.1 pF @ 10 V7.8 pF @ 3 V
FET-Merkmal
-Mit VerarmungsschichtSchottky-Diode (isoliert)Schottky-Diode (Körper)StrommessungTemperaturmessdiode
Verlustleistung (max.)
400µW400µW (Ta)500µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)155mW (Ta)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-60°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 100°C-55°C bis 110°C (TA)-55°C bis 125°C-55°C bis 125°C (TA)-55°C bis 125°C (TJ)-55°C bis 135°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-AutomobiltechnikMilitärtechnik
Qualifizierung
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/601MIL-PRF-19500/603MIL-PRF-19500/614MIL-STD-750
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-PICOSTAR3-PMCP3-PQFN (5x6)
Gehäuse / Hülle
2-DFN mit freiliegendem Pad3-DFN mit freiliegendem Pad3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, flache Anschlüsse3-SMD, Nicht standardmäßiges3-SMD, ohne Anschlüsse
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
32.885Resultate
Angewandte Filter Alle entfernen
Angezeigt werden
von 32.885
Vergleichen
Herst.-Teilenr.
Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.395
Vorrätig
1 : 0,13000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,02450 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
72.563
Vorrätig
1 : 0,15000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,02705 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
493.947
Vorrätig
1 : 0,17000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,02885 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
427.085
Vorrätig
1 : 0,17000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,02953 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm bei 50mA, 5V
2,5V bei 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
37.451
Vorrätig
1 : 0,17000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03435 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,3V bei 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1.258.469
Vorrätig
1 : 0,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03060 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm bei 100mA, 2,5V
1V bei 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
254.664
Vorrätig
1 : 0,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03074 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm bei 220mA, 10V
1,5V bei 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
239.105
Vorrätig
1 : 0,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03662 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm bei 240mA, 10V
2,5V bei 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
418.174
Vorrätig
58.812.000
Fabrik
1 : 0,19000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03171 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
49.940
Vorrätig
1 : 0,19000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,03066 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
CST3
SC-101, SOT-883
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
572.369
Vorrätig
1 : 0,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04217 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
1,4 A (Ta)
4,5V, 10V
160mOhm bei 1,4A, 10V
2V bei 3,7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
548.050
Vorrätig
1 : 0,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03987 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
800mV bei 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
UMT3F
SC-85
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
500.191
Vorrätig
1 : 0,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04057 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7,5Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4.624.240
Vorrätig
1 : 0,21000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04321 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
800mA (Ta)
1,5V, 4,5V
235mOhm bei 800mA, 4,5V
1V bei 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SSM
SC-75, SOT-416
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
399.746
Vorrätig
1.116.000
Fabrik
1 : 0,21000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03482 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8Ohm bei 250mA, 10V
1,5V bei 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
198.199
Vorrätig
1 : 0,21000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,04275 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
3Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
57.864
Vorrätig
1 : 0,21000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,03585 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3,6Ohm bei 10mA, 4V
1,5V bei 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
VESM
SOT-723
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1.264.675
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,02066 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,4V bei 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
823.763
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03655 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm bei 300mA, 10V
1,5V bei 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C bis 150°C (TA)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
416.359
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03578 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,4V bei 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
40.181
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : 0,02752 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2,8Ohm bei 200mA, 10V
2,1V bei 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3,1 W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-883
SC-101, SOT-883
VMT3 Pkg
RUM002N05T2L
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
739.090
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,04154 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
200mA (Ta)
1,2V, 4,5V
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
1V bei 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
VMT3
SOT-723
TO-236AB
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
406.966
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,06737 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
1,05 A (Ta)
1,8V, 4,5V
200mOhm bei 600mA, 4,5V
570mV bei 1mA (typisch)
3.9 nC @ 4.5 V
±8V
152 pF @ 16 V
-
417mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
771.176
Vorrätig
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03947 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG6968U-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Diodes Incorporated
475.577
Vorrätig
870.000
Fabrik
1 : 0,23000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,06278 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
6,5 A (Ta)
1,8V, 4,5V
25mOhm bei 6,5A, 4,5V
900mV bei 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±12V
151 pF @ 10 V
-
1,3W (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Angezeigt werden
von 32.885

N-Kanal Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.