IPP60R250CPXKSA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP60R250CPXKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPP60R250CPXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP60R250CPXKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 104W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPP60R250CPXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	250mOhm bei 7,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 440µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1200 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	104W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IPP60R250