TO-220-3 Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
IRF9Z34NPBF MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB Infineon Technologies	43.440 Vorrätig	1 : 1,14000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	55 V	19 A (Tc)	10V	100mOhm bei 10A, 10V	4V bei 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	620 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
IRF530NPBF MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB Infineon Technologies	14.004 Vorrätig	1 : 1,17000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	17 A (Tc)	10V	90mOhm bei 9A, 10V	4V bei 250µA	37 nC @ 10 V	±20V	920 pF @ 25 V	-	70W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
IRFZ44NPBF MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB Infineon Technologies	25.474 Vorrätig	1 : 1,19000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	55 V	49 A (Tc)	10V	17,5mOhm bei 25A, 10V	4V bei 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1470 pF @ 25 V	-	94W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
IRFB7545PBF MOSFET N-CH 60V 95A TO220 Infineon Technologies	16.883 Vorrätig	1 : 1,23000 € Stange	HEXFET®, StrongIRFET™	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	95 A (Tc)	6V, 10V	5,9mOhm bei 57A, 10V	3,7V bei 100µA	110 nC @ 10 V	±20V	4010 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220	TO-220-3
IRF9530NPBF MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB Infineon Technologies	21.946 Vorrätig	1 : 1,24000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	14 A (Tc)	10V	200mOhm bei 8,4A, 10V	4V bei 250µA	58 nC @ 10 V	±20V	760 pF @ 25 V	-	79W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
IRLZ34NPBF MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB Infineon Technologies	18.668 Vorrätig	1 : 1,32000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	55 V	30 A (Tc)	4V, 10V	35mOhm bei 16A, 10V	2V bei 250µA	25 nC @ 5 V	±16V	880 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
IRF540ZPBF MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB Infineon Technologies	44.139 Vorrätig	1 : 1,43000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	36 A (Tc)	10V	26,5mOhm bei 22A, 10V	4V bei 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1770 pF @ 25 V	-	92W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
IRF640NPBF MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Infineon Technologies	27.960 Vorrätig	1 : 1,47000 € Stange	HEXFET®	Stange	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	200 V	18 A (Tc)	10V	150mOhm bei 11A, 10V	4V bei 250µA	67 nC @ 10 V	±20V	1160 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
IRF540NPBF MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB Infineon Technologies	26.794 Vorrätig	1 : 1,48000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	33 A (Tc)	10V	44mOhm bei 16A, 10V	4V bei 250µA	71 nC @ 10 V	±20V	1960 pF @ 25 V	-	130W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
IRF530PBF MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB Vishay Siliconix	13.659 Vorrätig	1 : 1,49000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	14 A (Tc)	10V	160mOhm bei 8,4A, 10V	4V bei 250µA	26 nC @ 10 V	±20V	670 pF @ 25 V	-	88W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
IRLZ44NPBF MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB Infineon Technologies	15.786 Vorrätig	1 : 1,50000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	55 V	47 A (Tc)	4V, 10V	22mOhm bei 25A, 10V	2V bei 250µA	48 nC @ 5 V	±16V	1700 pF @ 25 V	-	3,8W (Ta), 110W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
IRL540NPBF MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB Infineon Technologies	18.277 Vorrätig	1 : 1,53000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	36 A (Tc)	4V, 10V	44mOhm bei 18A, 10V	2V bei 250µA	74 nC @ 5 V	±16V	1800 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
STP17NF25 MOSFET N-CH 250V 17A TO220AB STMicroelectronics	7.033 Vorrätig	1 : 1,59000 € Stange	STripFET™ II	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	250 V	17 A (Tc)	10V	165mOhm bei 8,5A, 10V	4V bei 250µA	29.5 nC @ 10 V	±20V	1000 pF @ 25 V	-	90W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220	TO-220-3
IRF9540NPBF MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB Infineon Technologies	12.332 Vorrätig	1 : 1,64000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	23 A (Tc)	10V	117mOhm bei 11A, 10V	4V bei 250µA	97 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
IRF5305PBF MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB Infineon Technologies	21.813 Vorrätig	1 : 1,65000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	55 V	31 A (Tc)	10V	60mOhm bei 16A, 10V	4V bei 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C bis 155°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
IRF510PBF MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB Vishay Siliconix	20.563 Vorrätig	1 : 1,71000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	5,6 A (Tc)	10V	540mOhm bei 3,4A, 10V	4V bei 250µA	8.3 nC @ 10 V	±20V	180 pF @ 25 V	-	43W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
IRF3205PBF MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB Infineon Technologies	14.223 Vorrätig	1 : 1,81000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	55 V	110 A (Tc)	10V	8mOhm bei 62A, 10V	4V bei 250µA	146 nC @ 10 V	±20V	3247 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
STP55NF06 MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB STMicroelectronics	28.614 Vorrätig	1 : 1,82000 € Stange	STripFET™ II	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	50 A (Tc)	10V	18mOhm bei 27,5A, 10V	4V bei 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220	TO-220-3
FQP17P10 MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3 onsemi	5.529 Vorrätig	1 : 1,92000 € Stange	QFET®	Stange	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	16,5 A (Tc)	10V	190mOhm bei 8,25A, 10V	4V bei 250µA	39 nC @ 10 V	±30V	1100 pF @ 25 V	-	100W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220-3	TO-220-3
MTP3055VL MOSFET N-CH 60V 12A TO220-3 onsemi	2.869 Vorrätig 5.600 Fabrik	1 : 1,92000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	12 A (Tc)	5V	180mOhm bei 6A, 5V	2V bei 250µA	10 nC @ 5 V	±15V	570 pF @ 25 V	-	48W (Tc)	-65°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220-3	TO-220-3
CSD18533KCS MOSFET N-CH 60V 72A/100A TO220-3 Texas Instruments	13.680 Vorrätig	1 : 1,94000 € Stange	NexFET™	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	72 A (Ta), 100 A (Tc)	4,5V, 10V	6,3mOhm bei 75A, 10V	2,3V bei 250µA	34 nC @ 10 V	±20V	3025 pF @ 30 V	-	192W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220-3	TO-220-3
IRLB3813PBF MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB Infineon Technologies	10.609 Vorrätig	1 : 1,95000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	260 A (Tc)	4,5V, 10V	1,95mOhm bei 60A, 10V	2,35V bei 150µA	86 nC @ 4.5 V	±20V	8420 pF @ 15 V	-	230W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
IRFB4227PBF MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB Infineon Technologies	1.959 Vorrätig	1 : 2,12000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	200 V	65 A (Tc)	10V	24mOhm bei 46A, 10V	5V bei 250µA	98 nC @ 10 V	±30V	4600 pF @ 25 V	-	330W (Tc)	-40°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
IRF740PBF MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Vishay Siliconix	5.861 Vorrätig	1 : 2,14000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	400 V	10 A (Tc)	10V	550mOhm bei 6A, 10V	4V bei 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3
IRF3415PBF MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB Infineon Technologies	3.488 Vorrätig	1 : 2,27000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	150 V	43 A (Tc)	10V	42mOhm bei 22A, 10V	4V bei 250µA	200 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB	TO-220-3

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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

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