SIHP050N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF830APBF-BE3

DigiKey-Teilenr.
742-IRF830APBF-BE3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
IRF830APBF-BE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 5 A (Tc) 74W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,4Ohm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
620 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
74W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRF830
Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge
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Stange
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501,24040 €62,02 €
1001,11780 €111,78 €
5000,90278 €451,39 €
1.0000,83366 €833,66 €
2.0000,77556 €1.551,12 €
5.0000,75466 €3.773,30 €
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Stückpreis mit MwSt.:2,97500 €