
IPP60R199CPXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPP60R199CPXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP60R199CPXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 16 A (Tc) 139W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP60R199CPXKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 660µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 43 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1520 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 139W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 199mOhm bei 9,9A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N60E | onsemi | 1.429 | FCP190N60EOS-ND | 4,35000 € | Ähnlich |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 4,78000 € | Ähnlich |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1.711 | IRF830APBF-ND | 3,38000 € | Ähnlich |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | 3,43000 € | Ähnlich |
| STP18N60M2 | STMicroelectronics | 266 | 497-13971-5-ND | 2,60000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,48000 € | 4,48 € |
| 50 | 2,28860 € | 114,43 € |
| 100 | 2,07670 € | 207,67 € |
| 500 | 1,70548 € | 852,74 € |
| 1.000 | 1,58626 € | 1.586,26 € |
| 2.000 | 1,48605 € | 2.972,10 € |
| 5.000 | 1,37771 € | 6.888,55 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,48000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 5,33120 € |

