PG-TO220-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP60R199CPXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPP60R199CPXKSA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IPP60R199CPXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 16 A (Tc) 139W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP60R199CPXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
16 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
199mOhm bei 9,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 660µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1520 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
139W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP60R199
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