N-Kanal 650 V 16 A (Tc) 139W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
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IPP60R199CPXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPP60R199CPXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP60R199CPXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 16 A (Tc) 139W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP60R199CPXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 660µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
43 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1520 pF @ 100 V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Verlustleistung (max.)
139W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
199mOhm bei 9,9A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (10)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FCP190N60Eonsemi1.429FCP190N60EOS-ND4,35000 ۀhnlich
FCP190N65Fonsemi569FCP190N65F-ND4,78000 ۀhnlich
IRF830APBFVishay Siliconix1.711IRF830APBF-ND3,38000 ۀhnlich
IRFBC30APBFVishay Siliconix732IRFBC30APBF-ND3,43000 ۀhnlich
STP18N60M2STMicroelectronics266497-13971-5-ND2,60000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,48000 €4,48 €
502,28860 €114,43 €
1002,07670 €207,67 €
5001,70548 €852,74 €
1.0001,58626 €1.586,26 €
2.0001,48605 €2.972,10 €
5.0001,37771 €6.888,55 €
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Stückpreis mit MwSt.:5,33120 €