
IPP60R199CPXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPP60R199CPXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP60R199CPXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 16 A (Tc) 139W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP60R199CPXKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 660µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 43 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1520 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 139W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 199mOhm bei 9,9A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N60E | onsemi | 1.432 | FCP190N60EOS-ND | 4,32000 € | Ähnlich |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 4,74000 € | Ähnlich |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1.718 | IRF830APBF-ND | 2,63000 € | Ähnlich |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | 3,40000 € | Ähnlich |
| STP18N60M2 | STMicroelectronics | 266 | 497-13971-5-ND | 2,58000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,80000 € | 3,80 € |
| 50 | 1,94360 € | 97,18 € |
| 100 | 1,76360 € | 176,36 € |
| 500 | 1,44832 € | 724,16 € |
| 1.000 | 1,34706 € | 1.347,06 € |
| 2.000 | 1,26196 € | 2.523,92 € |
| 5.000 | 1,22226 € | 6.111,30 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,80000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,52200 € |

