N-Kanal 650 V 20,6 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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FCP190N65F

DigiKey-Teilenr.
FCP190N65F-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FCP190N65F
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 20,6 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 2mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
78 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3225 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 10A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Bestand des Herstellers: 32.000
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,74000 €4,74 €
502,48860 €124,43 €
1002,27090 €227,09 €
5001,88946 €944,73 €
1.0001,80339 €1.803,39 €
Standardverpackung des Herstellers
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