PG-TO220-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP60R165CPXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPP60R165CPXKSA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IPP60R165CPXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 21 A (Tc) 192W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP60R165CPXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
21 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
165mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 790µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2000 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
192W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP60R165
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