TO-220-3
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STP18N65M5

cms-digikey-product-number
497-STP18N65M5-ND
cms-manufacturer
STMicroelectronics
cms-manufacturer-product-number
STP18N65M5
cms-description
MOSFET N-CH 650V 15A TO220
cms-standard-lead-time
14 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description
N-Kanal 650 V 15 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
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STP18N65M5 Modelle
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cms-type
cms-description
cms-select-all
cms-category
Herst.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ V
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
15 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
220mOhm bei 7,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1240 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP18
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Auf Lager: 792
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Stange
cms-quantityStückpreis cms-ext-price
11,89000 €1,89 €
501,34740 €67,37 €
1001,31240 €131,24 €
5001,24470 €622,35 €
1.0001,17229 €1.172,29 €
2.0001,12393 €2.247,86 €
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