
IPP60R190E6XKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-IPP60R190E6XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP60R190E6XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP60R190E6XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 630µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 63 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1400 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 151W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 9,5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R190E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 56.890 | 2156-IPP65R190E6XKSA1-ND | 1,81879 € | Direkter Ersatz |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 4,74000 € | Ähnlich |
| FCP190N65S3 | onsemi | 635 | FCP190N65S3-ND | 3,95000 € | Ähnlich |
| SIHP21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N65EF-GE3-ND | 5,02000 € | Ähnlich |
| SIHP22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 861 | 742-SIHP22N60E-E3-ND | 4,51000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,78000 € | 3,78 € |
| 50 | 1,90840 € | 95,42 € |
| 100 | 1,72650 € | 172,65 € |
| 500 | 1,40754 € | 703,77 € |
| 1.000 | 1,30507 € | 1.305,07 € |
| 2.000 | 1,21896 € | 2.437,92 € |
| 5.000 | 1,12585 € | 5.629,25 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,78000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,49820 € |



