TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP60R190C6XKSA1

Digi-Key-Teilenr.
IPP60R190C6XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP60R190C6XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Kundenreferenz
Datenblatt  Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Auswählen
Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
Gehäuse
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
20,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 630µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1400 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
151W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,08000 €4,08 €
103,66000 €36,60 €
1002,99860 €299,86 €
5002,56292 €1.281,46 €
Zusätzliche Ressourcen
EigenschaftBeschreibung
Weitere Namen
2156-IPP60R190C6XKSA1
IPP60R190C6-ND
SP000621158
IPP60R190C6
INFINFIPP60R190C6XKSA1
Standardverpackung50