FCP290N80 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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onsemi

Vorrätig: 775

Stückpreis : 3,83000 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FCP290N80
DigiKey-Teilenr.	FCP290N80OS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FCP290N80
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 17 A (Tc) 212W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FCP290N80 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	SuperFET® II
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	290mOhm bei 8,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 1,7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3205 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	212W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	FCP290