FCP22N60N ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Vom Hersteller empfohlen


onsemi
Vorrätig: 738
Stückpreis : 4,60000 €
Datenblatt

Ähnlich


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 1.248
Stückpreis : 3,64000 €
Datenblatt

Ähnlich


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 3.155
Stückpreis : 3,63000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 2,35000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 2.452
Stückpreis : 2,99000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 368
Stückpreis : 3,51000 €
Datenblatt

Ähnlich


IXYS
Vorrätig: 237
Stückpreis : 5,50000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 367
Stückpreis : 4,12000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 902
Stückpreis : 3,44000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 381
Stückpreis : 3,70000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 991
Stückpreis : 3,15000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 363
Stückpreis : 6,53000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 759
Stückpreis : 3,26000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 112
Stückpreis : 5,88000 €
Datenblatt
TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FCP22N60N

DigiKey-Teilenr.
FCP22N60N-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FCP22N60N
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 22 A (Tc) 205W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FCP22N60N Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
165mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±45V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1950 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
205W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.