N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP25N60M2-EP

DigiKey-Teilenr.
497-15892-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP25N60M2-EP
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP25N60M2-EP Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,75V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
29 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1090 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
188mOhm bei 9A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,32000 €3,32 €
501,67660 €83,83 €
1001,51740 €151,74 €
5001,23844 €619,22 €
1.0001,14883 €1.148,83 €
2.0001,07352 €2.147,04 €
5.0001,01658 €5.082,90 €
Standardverpackung des Herstellers
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