18 A (Tc) Einzelne FETs, MOSFETs

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Verfügbare Menge
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Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
SIS176LDN-T1-GE3
SIS413DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
15.922
Vorrätig
1 : 0,72000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,20907 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
18 A (Tc)
4,5V, 10V
9,4mOhm bei 15A, 10V
2,5V bei 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4280 pF @ 15 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SQS415ENW-T1_GE3
SQS414CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Vishay Siliconix
12.580
Vorrätig
1 : 0,80000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,25136 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
18 A (Tc)
4,5V, 10V
23mOhm bei 2,4A, 10V
2,5V bei 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 25 V
-
33W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
PowerPAK® 1212-8W
PowerPAK® 1212-8W
12.627
Vorrätig
1 : 0,88000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,28040 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
18 A (Tc)
4,5V, 10V
68mOhm bei 6A, 10V
2,2V bei 250µA
16.4 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 30 V
-
20W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
2.884
Vorrätig
1 : 1,19000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,31493 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
18 A (Tc)
-
110mOhm bei 10A, 10V
2,5V bei 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 80 V
-
70W
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PowerPAK 1212-8
SQSA80ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
4.638
Vorrätig
1 : 1,35000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,39546 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
80 V
18 A (Tc)
4,5V, 10V
21mOhm bei 10A, 10V
2,5V bei 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1358 pF @ 40 V
-
62,5W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-252AA
FDD770N15A
MOSFET N CH 150V 18A DPAK
onsemi
5.152
Vorrätig
1 : 1,43000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,44468 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
150 V
18 A (Tc)
10V
77mOhm bei 12A, 10V
4V bei 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
765 pF @ 75 V
-
56,8W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-220AB PKG
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
43.924
Vorrätig
1 : 1,46000 €
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
200 V
18 A (Tc)
10V
150mOhm bei 11A, 10V
4V bei 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220AB
TO-220-3
TO-252AA (DPAK)
IRFR5505TRPBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Infineon Technologies
97.649
Vorrätig
1 : 1,56000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,41815 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
55 V
18 A (Tc)
10V
110mOhm bei 9,6A, 10V
4V bei 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 25 V
-
57W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF640NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Infineon Technologies
6.468
Vorrätig
1 : 1,65000 €
Gurtabschnitt (CT)
800 : 0,59173 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
200 V
18 A (Tc)
10V
150mOhm bei 11A, 10V
4V bei 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
SI9407BDY-T1-GE3
SI4116DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Vishay Siliconix
10.046
Vorrätig
1 : 1,68000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,47467 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
25 V
18 A (Tc)
2,5V, 10V
8,6mOhm bei 10A, 10V
1,4V bei 250µA
56 nC @ 10 V
±12V
1925 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta), 5W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOIC
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
TO252-3
IPD60R180P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Infineon Technologies
21.159
Vorrätig
1 : 1,70000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,57978 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
18 A (Tc)
10V
180mOhm bei 5,6A, 10V
4V bei 280µA
25 nC @ 10 V
±20V
1081 pF @ 400 V
-
72W (Tc)
-40°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
SIHP23N60E-GE3
IRF640PBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Vishay Siliconix
1.229
Vorrätig
1 : 1,90000 €
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
200 V
18 A (Tc)
10V
180mOhm bei 11A, 10V
4V bei 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
125W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3
IRF9Z34STRLPBF
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Vishay Siliconix
1.664
Vorrätig
1 : 2,11000 €
Gurtabschnitt (CT)
800 : 1,31868 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
18 A (Tc)
10V
140mOhm bei 11A, 10V
4V bei 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 25 V
-
3,7W (Ta), 88W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
SIS176LDN-T1-GE3
SI7611DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8.252
Vorrätig
1 : 2,15000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,64966 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
18 A (Tc)
4,5V, 10V
25mOhm bei 9,3A, 10V
3V bei 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
1980 pF @ 20 V
-
3,7W (Ta), 39W (Tc)
-50°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-263-3
IRF640SPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Vishay Siliconix
2.685
Vorrätig
1 : 2,30000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
200 V
18 A (Tc)
10V
180mOhm bei 11A, 10V
4V bei 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3,1W (Ta), 130W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
TO-220F-3
FDPF18N50
MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
onsemi
944
Vorrätig
Aktiv
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
500 V
18 A (Tc)
10V
265mOhm bei 9A, 10V
5V bei 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
2860 pF @ 25 V
-
38,5W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-220F-3
TO-220-3 voller Pack
PG-TO263-7-12
IMBG120R140M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Infineon Technologies
726
Vorrätig
1 : 7,06000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 2,94418 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
SiCFET (Siliziumkarbid)
1200 V
18 A (Tc)
-
189mOhm bei 6A, 18V
5,7V bei 2,5mA
13.4 nC @ 18 V
+18V, -15V
491 pF @ 800 V
-
107W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-TO263-7-12
TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
TO-263-8
G3R160MT17J-TR
1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
GeneSiC Semiconductor
953
Vorrätig
1 : 12,43000 €
Gurtabschnitt (CT)
800 : 9,51561 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
SiCFET (Siliziumkarbid)
1700 V
18 A (Tc)
15V
224mOhm bei 10A, 15V
2,7V bei 5mA
29 nC @ 15 V
+15V, -5V
854 pF @ 1000 V
-
145W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-263-7
TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
RQ3E120ATTB
RQ3E075ATTB
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Rohm Semiconductor
3.249
Vorrätig
1 : 0,81000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,44819 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
18 A (Tc)
10V
23mOhm bei 7,5A, 10V
2,5V bei 1mA
10.4 nC @ 4.5 V
±20V
930 pF @ 15 V
-
15W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-HSMT (3,2x3)
8-PowerVDFN
SIS176LDN-T1-GE3
SIS407ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
13.968
Vorrätig
1 : 0,83000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,31268 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
18 A (Tc)
1,8V, 4,5V
9mOhm bei 15A, 4,5V
1V bei 250µA
168 nC @ 8 V
±8V
5875 pF @ 10 V
-
3,7W (Ta), 39,1W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7153DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
10.359
Vorrätig
1 : 0,84000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,20807 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
18 A (Tc)
4,5V, 10V
9,5mOhm bei 20A, 10V
2,5V bei 250µA
93 nC @ 10 V
±25V
3600 pF @ 15 V
-
52W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SQS415ENW-T1_GE3
SQS660CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Vishay Siliconix
4.464
Vorrätig
1 : 1,01000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,32877 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
18 A (Tc)
4,5V, 10V
11,2mOhm bei 7A, 10V
2,5V bei 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 25 V
-
62,5W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
PowerPAK® 1212-8W
PowerPAK® 1212-8W
SQS415ENW-T1_GE3
SQSA12CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Vishay Siliconix
12.164
Vorrätig
1 : 1,03000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,32418 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
18 A (Tc)
4,5V, 10V
22mOhm bei 7A, 10V
2,5V bei 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 25 V
-
62,5W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
PowerPAK® 1212-8W
PowerPAK® 1212-8W
9.944
Vorrätig
1 : 1,15000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
18 A (Tc)
4,5V, 10V
68mOhm bei 6A, 10V
2,2V bei 250µA
16.4 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 30 V
-
20W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-251 (IPAK)
TO-251-3 mit Stummelpins, IPAK
TO-252AA
RFD12N06RLESM9A
MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
onsemi
299
Vorrätig
1 : 1,16000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,38960 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
18 A (Tc)
4,5V, 10V
63mOhm bei 18A, 10V
3V bei 250µA
15 nC @ 10 V
±16V
485 pF @ 25 V
-
49W (Tc)
-55°C bis 155°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Angezeigt werden
von 348

18 A (Tc) Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.