PG-TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP60R180P7XKSA1

Digi-Key-Teilenr.
IPP60R180P7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP60R180P7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
65 Wochen
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 72W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Kundenreferenz
Datenblatt  Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Auswählen
Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
Gehäuse
Stange
Produktstatus
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
18 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 5,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 280µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1081 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
72W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,12000 €3,12 €
102,80400 €28,04 €
1002,29740 €229,74 €
5001,96366 €981,83 €