SiC-MOSFETs SCT der 4. Generation

SiC-MOSFETs von ROHM bieten überlegene Durchbruchspannung und damit höhere Spannungsfestigkeit, was kompakte Systeme ermöglicht

Abbildung: Siliziumkarbid-MOSFETs SCT der 4. Generation von ROHMDie MOSFETs der Serie SCT4xxx der 4. Generation von ROHM sind revolutionäre Leistungskomponenten aus Siliziumkarbid (SiC), die für eine beispiellose Effizienz und Performance in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurden. Durch die Nutzung der inhärenten Vorteile der SiC-Technologie bieten diese MOSFETs erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Silizium-MOSFETs. Sie verfügen über eine überlegene Durchbruchspannung und damit eine höhere Spannungsfestigkeit, was kompakte Systeme ermöglicht. Dazu kommen ein extrem niedriger Betriebswiderstand (RDS(ON)), der Leitungsverluste reduziert und die Energieeffizienz verbessert, sowie eine hohe Schaltgeschwindigkeit, die bessere Schaltfrequenzen erlaubt und Schaltverluste minimiert. Diese MOSFETs bieten eine außergewöhnliche thermische Performance bei höheren Betriebstemperaturen, was die Systemzuverlässigkeit erhöht.

Merkmale/Funktionen
  • Durchbruchspannungsbereich: 650 V bis 1700 V
  • Drain-Strombereich: 3,7 A bis 70 A
  • Niedriger RDS(ON)
  • Schalten mit hohen Geschwindigkeiten
  • Hervorragende Wärmeleitfähigkeit
  • TO-247-Gehäuse
  • RoHS-konform
Anwendungen/Zielmärkte
  • Schaltnetzteile
  • Solarwechselrichter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
  • Ladegeräte für Elektrofahrzeuge
  • Induktionsheizgeräte
  • Motorantriebe
  • Züge
  • Windkraftanlagen
  • Stromversorgungen für Rechenzentren
  • Industrieautomatisierung
  • Schweißgeräte
  • Batterieladegeräte
  • Leistungsstarke Audioverstärker
  • Flugzeug-Stromversorgungssysteme

SiC MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
SICFET N-CH 1200V 17A TO247NSCT3160KLGC11SICFET N-CH 1200V 17A TO247N75 - Sofort$5.76Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 39A TO247NSCT3060ALGC11SICFET N-CH 650V 39A TO247N167 - Sofort$13.17Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 70A TO247NSCT3030ALGC11SICFET N-CH 650V 70A TO247N4093 - Sofort$21.89Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 55A TO247NSCT3040KLGC11SICFET N-CH 1200V 55A TO247N661 - Sofort$33.53Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 95A TO247NSCT3022KLGC11SICFET N-CH 1200V 95A TO247N198 - Sofort$44.59Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 93A TO247NSCT3022ALGC11SICFET N-CH 650V 93A TO247N450 - Sofort$37.89Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 72A TO247NSCT3030KLGC11SICFET N-CH 1200V 72A TO247N253 - Sofort$51.76Details anzeigen
SICFET N-CH 1700V 4A TO268SCT2H12NYTBSICFET N-CH 1700V 4A TO26812 - Sofort$6.18Details anzeigen
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFMSCT2H12NZGC11SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM621 - Sofort$5.91Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 21A TO247NSCT3120ALGC11SICFET N-CH 650V 21A TO247N3858 - Sofort$8.34Details anzeigen
1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDESCT2450KEGC111200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE503 - Sofort$10.05Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 30A TO247NSCT3080ALGC11SICFET N-CH 650V 30A TO247N549 - Sofort$6.04Details anzeigen
1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-STSCT4062KEC111200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST4706 - Sofort$10.77Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4LSCT3080KRC14SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L130 - Sofort$15.25Details anzeigen
1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-STSCT4036KW7TL1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST244 - Sofort$13.78Details anzeigen
750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STRSCT4026DRC15750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR3424 - Sofort$15.87Details anzeigen
1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-STSCT4036KRC151200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST4526 - Sofort$16.12Details anzeigen
1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-STSCT4036KEC111200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST4667 - Sofort$16.13Details anzeigen
1200V, 43A, 4-PIN THD, TRENCH-STSCT4036KRHRC151200V, 43A, 4-PIN THD, TRENCH-ST506 - Sofort$17.12Details anzeigen
750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STRSCT4013DW7TL750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR1085 - Sofort$23.93Details anzeigen
Veröffentlicht: 2024-03-19