Name: SCT3080ALGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT3080ALGC11-ND
Price: 13.6374 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 134W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N

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SCT3080ALGC11
DigiKey-Teilenr.	SCT3080ALGC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	SCT3080ALGC11
Beschreibung	SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 134W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 5mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 48 nC @ 18 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +22V, -4V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 571 pF @ 500 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 134W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247N
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 104mOhm bei 10A, 18V	Basis-Produktnummer SCT3080

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30	6,91467 €	207,44 €
120	5,91842 €	710,21 €
510	5,29063 €	2.698,22 €

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