Name: SCT3120ALGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT3120ALGC11-ND
Price: 10.7695 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N

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SCT3120ALGC11
DigiKey-Teilenr.	SCT3120ALGC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	SCT3120ALGC11
Beschreibung	SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SCT3120ALGC11 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 3,33mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 38 nC @ 18 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +22V, -4V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 460 pF @ 500 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 103W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 21 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247N
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 156mOhm bei 6,7A, 18V	Basis-Produktnummer SCT3120

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	9,05000 €	9,05 €
30	5,35433 €	160,63 €
120	4,54258 €	545,11 €
510	3,94796 €	2.013,46 €
1.020	3,88829 €	3.966,06 €

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