TO-247-3 Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
IRFP3710PBF MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC Infineon Technologies	7.466 Vorrätig	1 : 2,00000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	57 A (Tc)	10V	25mOhm bei 28A, 10V	4V bei 250µA	190 nC @ 10 V	±20V	3000 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP150NPBF MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC Infineon Technologies	3.814 Vorrätig	1 : 2,27000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	42 A (Tc)	10V	36mOhm bei 23A, 10V	4V bei 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	1900 pF @ 25 V	-	160W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP240PBF MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3 Vishay Siliconix	995 Vorrätig	1 : 2,31000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	200 V	20 A (Tc)	10V	180mOhm bei 12A, 10V	4V bei 250µA	70 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP250MPBF MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC Infineon Technologies	2.487 Vorrätig	1 : 2,50000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	200 V	30 A (Tc)	10V	75mOhm bei 18A, 10V	4V bei 250µA	123 nC @ 10 V	±20V	2159 pF @ 25 V	-	214W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP054NPBF MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC Infineon Technologies	2.426 Vorrätig	1 : 2,66000 € Stange	HEXFET®	Stange	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	55 V	81 A (Tc)	10V	12mOhm bei 43A, 10V	4V bei 250µA	130 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 25 V	-	170W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP064NPBF MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC Infineon Technologies	1.704 Vorrätig	1 : 2,83000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	55 V	110 A (Tc)	10V	8mOhm bei 59A, 10V	4V bei 250µA	170 nC @ 10 V	±20V	4000 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP250NPBF MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC Infineon Technologies	3.281 Vorrätig	1 : 2,94000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	200 V	30 A (Tc)	10V	75mOhm bei 18A, 10V	4V bei 250µA	123 nC @ 10 V	±20V	2159 pF @ 25 V	-	214W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP260MPBF MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC Infineon Technologies	2.697 Vorrätig	1 : 2,99000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	200 V	50 A (Tc)	10V	40mOhm bei 28A, 10V	4V bei 250µA	234 nC @ 10 V	±20V	4057 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP254PBF MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3 Vishay Siliconix	1.823 Vorrätig	1 : 3,02000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	250 V	23 A (Tc)	10V	140mOhm bei 14A, 10V	4V bei 250µA	140 nC @ 10 V	±20V	2700 pF @ 25 V	-	190W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP9240PBF MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3 Vishay Siliconix	1.857 Vorrätig	1 : 3,09000 € Stange	-	Stange	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	200 V	12 A (Tc)	10V	500mOhm bei 7,2A, 10V	4V bei 250µA	44 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP4321PBF MOSFET N-CH 150V 78A TO247AC Infineon Technologies	3.476 Vorrätig	1 : 3,17000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	150 V	78 A (Tc)	10V	15,5mOhm bei 33A, 10V	5V bei 250µA	110 nC @ 10 V	±30V	4460 pF @ 25 V	-	310W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP450PBF MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Vishay Siliconix	3.373 Vorrätig	1 : 3,43000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	500 V	14 A (Tc)	10V	400mOhm bei 8,4A, 10V	4V bei 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	2600 pF @ 25 V	-	190W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP350PBF MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3 Vishay Siliconix	285 Vorrätig	1 : 3,52000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	400 V	16 A (Tc)	10V	300mOhm bei 9,6A, 10V	4V bei 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	2600 pF @ 25 V	-	190W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP7530PBF MOSFET N-CH 60V 195A TO247 Infineon Technologies	1.030 Vorrätig	1 : 3,66000 € Stange	HEXFET®, StrongIRFET™	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	195 A (Tc)	6V, 10V	2mOhm bei 100A, 10V	3,7V bei 250µA	411 nC @ 10 V	±20V	13703 pF @ 25 V	-	341W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247	TO-247-3
IRFP460APBF MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Vishay Siliconix	2.763 Vorrätig	1 : 4,04000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	500 V	20 A (Tc)	10V	270mOhm bei 12A, 10V	4V bei 250µA	105 nC @ 10 V	±30V	3100 pF @ 25 V	-	280W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP2907PBF MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC Infineon Technologies	3.122 Vorrätig	1 : 4,16000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	75 V	209 A (Tc)	10V	4,5mOhm bei 125A, 10V	4V bei 250µA	620 nC @ 10 V	±20V	13000 pF @ 25 V	-	470W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP260NPBF MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC Infineon Technologies	4.357 Vorrätig	1 : 4,27000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	200 V	50 A (Tc)	10V	40mOhm bei 28A, 10V	4V bei 250µA	234 nC @ 10 V	±20V	4057 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP4668PBF MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC Infineon Technologies	3.911 Vorrätig	1 : 4,35000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	200 V	130 A (Tc)	10V	9,7mOhm bei 81A, 10V	5V bei 250µA	241 nC @ 10 V	±30V	10720 pF @ 50 V	-	520W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
STW48N60DM2 MOSFET N-CH 600V 40A TO247 STMicroelectronics	533 Vorrätig	1 : 4,57000 € Stange	MDmesh™ DM2	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	40 A (Tc)	10V	79mOhm bei 20A, 10V	5V bei 250µA	70 nC @ 10 V	±25V	3250 pF @ 100 V	-	300W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
SUG90090E-GE3 MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC Vishay Siliconix	957 Vorrätig	1 : 4,65000 € Stange	ThunderFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	200 V	100 A (Tc)	7,5V, 10V	9,5mOhm bei 20A, 10V	4V bei 250µA	129 nC @ 10 V	±20V	5220 pF @ 100 V	-	395W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP264PBF MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3 Vishay Siliconix	2.490 Vorrätig	1 : 4,68000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	250 V	38 A (Tc)	10V	75mOhm bei 23A, 10V	4V bei 250µA	210 nC @ 10 V	±20V	5400 pF @ 25 V	-	280W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP4768PBF MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC Infineon Technologies	353 Vorrätig	1 : 4,70000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	250 V	93 A (Tc)	10V	17,5mOhm bei 56A, 10V	5V bei 250µA	270 nC @ 10 V	±20V	10880 pF @ 50 V	-	520W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
IRFP460PBF MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Vishay Siliconix	2.318 Vorrätig	1 : 4,74000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	500 V	20 A (Tc)	10V	270mOhm bei 12A, 10V	4V bei 250µA	210 nC @ 10 V	±20V	4200 pF @ 25 V	-	280W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
SCT3160KLGC11 SICFET N-CH 1200V 17A TO247N Rohm Semiconductor	1.926 Vorrätig	1 : 5,02000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	SiCFET (Siliziumkarbid)	1200 V	17 A (Tc)	18V	208mOhm bei 5A, 18V	5,6V bei 2,5mA	42 nC @ 18 V	+22V, -4V	398 pF @ 800 V	-	103W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247N	TO-247-3
IPW60R060P7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3 Infineon Technologies	716 Vorrätig	1 : 5,49000 € Stange	CoolMOS™ P7	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	48 A (Tc)	10V	60mOhm bei 15,9A, 10V	4V bei 800µA	67 nC @ 10 V	±20V	2895 pF @ 400 V	-	164W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	PG-TO247-3	TO-247-3

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Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.

TO-247-3 Einzelne FETs, MOSFETs

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