TO-247-3 Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 2.033
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorFairchild SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesInternational Rectifier
Serie
-AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101C2M™C3M™Cool MOS™CoolMOS™CoolMOS™ C3CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7
Verpackung
BoxGurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Lose im BeutelStangeTablettTasche
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
24 V30 V40 V50 V55 V60 V65 V70 V75 V80 V85 V100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
200mA (Tc)500mA (Tc)1 A (Tc)1,5 A (Tc)2 A (Tc)2 A (Tj)2,4 A (Tc)2,5 A (Tc)2,6 A (Tc)3 A (Tc)3 A (Tc) (95°C)3A
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V0V, 10V2,8V4,5V, 10V5V, 20V6V, 10V7V, 10V7,5V, 10V8V, 10V10V10V, 12V10V, 15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,28mOhm bei 100A, 10V1,3mOhm bei 100A, 10V1,6mOhm bei 100A, 10V1,6mOhm bei 180A, 10V1,7mOhm bei 100A, 10V1,7mOhm bei 195A, 10V1,8mOhm bei 100A, 10V1,85mOhm bei 195A, 10V1,85mOhm bei 50A, 10V1,9mOhm bei 100A, 10V2mOhm bei 100A, 10V2,1mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V bei 1mA2V bei 250µA2,4V bei 10mA2,4V bei 1mA2,5V bei 1mA2,5V bei 250µA2,5V bei 500µA2,6V bei 1mA (typisch)2,6V bei 700µA2,65V bei 700µA2,69V bei 10mA2,69V bei 2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
5.3 nC @ 18 V5.5 nC @ 12 V7.4 nC @ 10 V8.1 nC @ 12 V8.5 nC @ 18 V9.5 nC @ 15 V10.5 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11 nC @ 20 V11.7 nC @ 12 V12 nC @ 10 V12 nC @ 15 V
Vgs (Max.)
-8V, +19V+15V, -4V+15V, -5V±15V15V, 12V+18V, -5V+18V, -8V±18V+19V, -10V+19V, -8V+20V, -10V+20V, -2V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
111 pF @ 1000 V116 pF @ 25 V124 pF @ 1000 V133 pF @ 1000 V142 pF @ 1000 V150 pF @ 600 V150 pF @ 1000 V182 pF @ 800 V184 pF @ 1360 V191 pF @ 1000 V200 pF @ 1000 V206 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-Mit Verarmungsschicht
Verlustleistung (max.)
250mW (Tc)3,1W (Ta), 500W (Tc)3,12W (Ta), 208,3W (Tc)3,12W (Ta), 277,7W (Tc)3,8W (Ta), 230W (Tc)3,8W (Ta), 341W (Tc)3,8W (Ta), 556W (Tc)8,3W (Ta), 208W (Tc)15W (Tc)15,6W (Ta), 312W (Tc)18W (Ta), 500W (Tc)32W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-60°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 135°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C-55°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 200°C (TJ)-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 175°C (TJ)150°C
Klasse
-Automobiltechnik
Qualifizierung
-AEC-Q101
Montagetyp
DurchkontaktierungOberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
HiP247™HiP247™ lange AnschlüsseISO TO-247-3ISO247ISOPLUS247™MAX247™PG-TO247-3PG-TO247-3-1PG-TO247-3-21PG-TO247-3-31PG-TO247-3-40PG-TO247-3-41
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
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Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
TO-247-3 AC EP
IRFP3710PBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC
Infineon Technologies
2.036
Vorrätig
1 : 2,64000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
57 A (Tc)
10V
25mOhm bei 28A, 10V
4V bei 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 25 V
-
200W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP240PBF
MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
2.879
Vorrätig
1 : 2,65000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
200 V
20 A (Tc)
10V
180mOhm bei 12A, 10V
4V bei 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP9140PBF
MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3
Vishay Siliconix
1.962
Vorrätig
1 : 2,66000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
21 A (Tc)
10V
200mOhm bei 13A, 10V
4V bei 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
180W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP250NPBF
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Infineon Technologies
7.770
Vorrätig
1 : 2,69000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
200 V
30 A (Tc)
10V
75mOhm bei 18A, 10V
4V bei 250µA
123 nC @ 10 V
±20V
2159 pF @ 25 V
-
214W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
SIHG20N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Vishay Siliconix
7.402
Vorrätig
1 : 2,72000 €
Stange
-
Stange
Nur verfügbar bis
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
500 V
20 A (Tc)
10V
270mOhm bei 10A, 10V
5V bei 250µA
76 nC @ 10 V
±30V
2942 pF @ 25 V
-
250W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP7430PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC
Infineon Technologies
375
Vorrätig
1 : 2,88000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
195 A (Tc)
6V, 10V
1,3mOhm bei 100A, 10V
3,9V bei 250µA
460 nC @ 10 V
±20V
14240 pF @ 25 V
-
366W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Infineon Technologies
209
Vorrätig
1 : 3,00000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
120 A (Tc)
10V
4,2mOhm bei 75A, 10V
4V bei 150µA
120 nC @ 10 V
±20V
4520 pF @ 50 V
-
220W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP450PBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Vishay Siliconix
2.900
Vorrätig
1 : 3,18000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
500 V
14 A (Tc)
10V
400mOhm bei 8,4A, 10V
4V bei 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
190W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP350PBF
MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
Vishay Siliconix
1.895
Vorrätig
1 : 3,42000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
400 V
16 A (Tc)
10V
300mOhm bei 9,6A, 10V
4V bei 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
190W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW20NK50Z
MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
STMicroelectronics
165
Vorrätig
1 : 3,52000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
500 V
17 A (Tc)
10V
270mOhm bei 8,5A, 10V
4,5V bei 100µA
119 nC @ 10 V
±30V
2600 pF @ 25 V
-
190W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP260NPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Infineon Technologies
13.177
Vorrätig
1 : 3,77000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
200 V
50 A (Tc)
10V
40mOhm bei 28A, 10V
4V bei 250µA
234 nC @ 10 V
±20V
4057 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC
Infineon Technologies
3.457
Vorrätig
1 : 3,97000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
200 V
65 A (Tc)
10V
25mOhm bei 46A, 10V
5V bei 250µA
98 nC @ 10 V
±30V
4600 pF @ 25 V
-
330W (Tc)
-40°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP460PBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
6.714
Vorrätig
1 : 4,22000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
500 V
20 A (Tc)
10V
270mOhm bei 12A, 10V
4V bei 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 25 V
-
280W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4110PBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Infineon Technologies
1.004
Vorrätig
1 : 4,56000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
120 A (Tc)
10V
4,5mOhm bei 75A, 10V
4V bei 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
9620 pF @ 50 V
-
370W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
PG-TO247-3
IPW60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Infineon Technologies
877
Vorrätig
1 : 4,73000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
37 A (Tc)
10V
80mOhm bei 11,8A, 10V
4V bei 590µA
51 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 400 V
-
129W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3
G2R1000MT17D
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
8.274
Vorrätig
1 : 5,07000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
SiCFET (Siliziumkarbid)
1700 V
5 A (Tc)
20V
1,2Ohm bei 2A, 20V
5,5V bei 500µA
11 nC @ 20 V
+25V, -10V
111 pF @ 1000 V
-
44W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP264PBF
MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Vishay Siliconix
1.625
Vorrätig
1 : 5,07000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
250 V
38 A (Tc)
10V
75mOhm bei 23A, 10V
4V bei 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 25 V
-
280W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP2907PBF
MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Infineon Technologies
2.800
Vorrätig
1 : 5,09000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
75 V
209 A (Tc)
10V
4,5mOhm bei 125A, 10V
4V bei 250µA
620 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 25 V
-
470W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
PG-TO247-3
IPW65R095C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Infineon Technologies
1.061
Vorrätig
1 : 5,31000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
650 V
24 A (Tc)
10V
95mOhm bei 11,8A, 10V
4V bei 590µA
45 nC @ 10 V
±20V
2140 pF @ 400 V
-
128W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
PG-TO247-3-1
TO-247-3
PG-TO247-3
IPW60R060P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Infineon Technologies
543
Vorrätig
1 : 5,57000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
48 A (Tc)
10V
60mOhm bei 15,9A, 10V
4V bei 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
-
164W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW48N60DM2
MOSFET N-CH 600V 40A TO247
STMicroelectronics
341
Vorrätig
1 : 5,57000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
40 A (Tc)
10V
79mOhm bei 20A, 10V
5V bei 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
3250 pF @ 100 V
-
300W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP90N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
Infineon Technologies
1.192
Vorrätig
1 : 5,63000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
200 V
94 A (Tc)
10V
23mOhm bei 56A, 10V
5V bei 250µA
270 nC @ 10 V
±30V
6040 pF @ 25 V
-
580W (Tc)
-55°C bis 175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AD EP
FDH45N50F-F133
MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
onsemi
346
Vorrätig
1 : 5,66000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
500 V
45 A (Tc)
10V
120mOhm bei 22,5A, 10V
5V bei 250µA
137 nC @ 10 V
±30V
6630 pF @ 25 V
-
625W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-3
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R070CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Infineon Technologies
1.569
Vorrätig
1 : 5,90000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
650 V
31 A (Tc)
10V
70mOhm bei 15,1A, 10V
4,5V bei 760µA
67 nC @ 10 V
±20V
2721 pF @ 400 V
-
156W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
PG-TO247-3-21
TO-247-3
PG-TO247-3
SPW20N60C3FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Infineon Technologies
2.556
Vorrätig
1 : 6,01000 €
Stange
Stange
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
650 V
20,7 A (Tc)
10V
190mOhm bei 13,1A, 10V
3,9V bei 1mA
114 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
208W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
PG-TO247-3-1
TO-247-3
Angezeigt werden
von 2.033

TO-247-3 Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.