Rohm Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

Resultate : 1.253
Serie
-*OptiMOS®
Verpackung
Digi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeTablettTasche
Produktstatus
AktivNicht für NeukonstruktionenObsolet
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12 V20 V30 V40 V45 V50 V60 V80 V100 V150 V190 V200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100mA (Ta)115mA (Ta)150mA (Ta)180mA (Ta)200mA (Ta)210mA (Ta)230mA (Ta)250mA (Ta)300mA (Ta)310mA (Ta)380mA (Ta)400mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0,9V, 4,5V1,2V, 2,5V1,2V, 4,5V1,5V, 4,5V1,8V, 4,5V1,8V, 4V2,5V, 10V2,5V, 4,5V2,5V, 4V4V, 10V4,5V4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,1mOhm bei 90A, 10V1,34mOhm bei 90A, 10V1,38mOhm bei 90A, 10V1,47mOhm bei 90A, 10V1,64mOhm bei 90A, 10V1,7mOhm bei 35A, 10V1,84mOhm bei 90A, 10V1,86mOhm bei 50A, 10V1,9mOhm bei 32A, 10V2,1mOhm bei 32A, 10V2,2mOhm bei 30A, 10V2,3mOhm bei 28A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
800mV bei 1mA1V bei 100µA1V bei 1mA1,2V bei 1mA1,3V bei 1mA1,5V bei 100µA1,5V bei 10mA1,5V bei 11mA1,5V bei 1mA1,5V bei 2mA2V bei 10µA2V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1.4 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 5 V1.5 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 5 V1.8 nC @ 4.5 V1.9 nC @ 5 V2 nC @ 4.5 V2 nC @ 5 V2.1 nC @ 4.5 V2.1 nC @ 5 V2.1 nC @ 10 V2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
-8V-8V, 0V+5V, -20V+6V, -10V+7V, -0,2V±8V±10V10V±12V12V±20V20V+21V, -4V±21V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7.1 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V12 pF @ 10 V13 pF @ 5 V15 pF @ 10 V15 pF @ 25 V15 pF @ 30 V18 pF @ 10 V20 pF @ 10 V24 pF @ 10 V25 pF @ 10 V26 pF @ 10 V
FET-Merkmal
-Schottky-Diode (isoliert)Schottky-Diode (Körper)
Verlustleistung (max.)
100mW (Ta)150mW (Ta)200mW200mW (Ta)225mW (Ta)300mW (Ta)320mW (Ta)350mW (Ta)350mW (Tc)400mW (Ta)500mW (Ta)540mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C-55°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 150°C (TJ)150°C150°C (TJ)175°C175°C (TJ)-
Klasse
-Automobiltechnik
Qualifizierung
-AEC-Q101
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
6-WEMT8-HSMT (3,2x3)8-HSOP8-PSOP8-SOIC8-SOP8-SOP-J8-TSST-CPT3DFN1006-3DFN1010-3W
Gehäuse / Hülle
3-SMD, flache Anschlüsse3-SMD, ohne Anschlüsse3-XDFN3-XFDFN6-PowerUDFN6-PowerUFDFN6-PowerWFDFN6-SMD (5 Leitungen), flache Anschlüsse6-SMD, flache Anschlüsse6-UDFN mit freiliegendem Pad8-PowerDFN8-PowerTDFN
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
1.253Resultate
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Herst.-Teilenr.
Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1.245.948
Vorrätig
1 : 0,18000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03060 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm bei 100mA, 2,5V
1V bei 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
456.310
Vorrätig
1 : 0,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03987 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
800mV bei 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
UMT3F
SC-85
VMT3 Pkg
RUM002N05T2L
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
738.971
Vorrätig
1 : 0,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,04154 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
200mA (Ta)
1,2V, 4,5V
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
1V bei 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
VMT3
SOT-723
VMT3 Pkg
RUM002N02T2L
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
607.295
Vorrätig
1 : 0,30000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,04525 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm bei 200mA, 2,5V
1V bei 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
VMT3
SOT-723
VMT3 Pkg
RYM002N05T2CL
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
888.860
Vorrätig
1 : 0,37000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,06841 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
800mV bei 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
VMT3
SOT-723
VML0604
RV3C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Rohm Semiconductor
152.691
Vorrätig
1 : 0,40000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,09207 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
150mA (Ta)
1,5V, 4,5V
2Ohm bei 150mA, 4,5V
1V bei 100µA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
VML0604
3-XFDFN
RTF025N03FRATL
RTF016N05TL
MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
Rohm Semiconductor
1.335
Vorrätig
1 : 0,57000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,13016 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
45 V
1,6 A (Ta)
2,5V, 4,5V
190mOhm bei 1,6A, 4,5V
1,5V bei 1mA
2.3 nC @ 4.5 V
±12V
150 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TUMT3
3-SMD, flache Anschlüsse
TSMT3
RUR040N02TL
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Rohm Semiconductor
28.199
Vorrätig
1 : 0,95000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,23634 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
4 A (Ta)
1,5V, 4,5V
35mOhm bei 4A, 4,5V
1,3V bei 1mA
8 nC @ 4.5 V
±10V
680 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TSMT3
SC-96
TO-243AA
2SK3065T100
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Rohm Semiconductor
23.625
Vorrätig
1 : 1,02000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 0,29439 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
2 A (Ta)
2,5V, 4V
320mOhm bei 1A, 4V
1,5V bei 1mA
-
±20V
160 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
MPT3
TO-243AA
TSMT6_TSMT6 Pkg
RQ6L035ATTCR
PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ
Rohm Semiconductor
8.399
Vorrätig
1 : 1,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,31008 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
3,5 A (Ta)
4,5V, 10V
78mOhm bei 3,5A, 10V
2,5V bei 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 30 V
-
950mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TSMT6 (SC-95)
SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
HSOP8
RS1G150MNTB
MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Rohm Semiconductor
3.295
Vorrätig
1 : 1,35000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,36198 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
15A (Ta), 43A (Tc)
4,5V, 10V
10,6mOhm bei 15A, 10V
2,5V bei 1mA
15 nC @ 10 V
±20V
930 pF @ 20 V
-
3W (Ta), 25W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-HSOP
8-PowerTDFN
BA17818FP-E2
RD3T100CNTL1
MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Rohm Semiconductor
9.955
Vorrätig
1 : 2,08000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,60599 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
200 V
10 A (Tc)
10V
182mOhm bei 5A, 10V
5,25V bei 1mA
25 nC @ 10 V
±30V
1400 pF @ 25 V
-
85W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
BA17818FP-E2
RD3G07BATTL1
PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Rohm Semiconductor
12.149
Vorrätig
1 : 2,79000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,85890 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
40 V
70 A (Tc)
4,5V, 10V
7,1mOhm bei 70A, 10V
2,5V bei 1mA
105 nC @ 10 V
±20V
5550 pF @ 20 V
-
101W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
HSOP8
RS1E220ATTB1
MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Rohm Semiconductor
8.141
Vorrätig
1 : 3,12000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,99476 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
22 A (Ta), 76 A (Tc)
4,5V, 10V
4,1mOhm bei 22A, 10V
2,5V bei 2mA
130 nC @ 10 V
±20V
5850 pF @ 15 V
-
3W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-HSOP
8-PowerTDFN
8-SOIC
RS3E180ATTB1
MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Rohm Semiconductor
4.244
Vorrätig
1 : 3,12000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,99476 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
18 A (Ta)
4,5V, 10V
5,4mOhm bei 18A, 10V
2,5V bei 5mA
160 nC @ 10 V
±20V
7200 pF @ 15 V
-
1,4W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
8-SOP
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
LPTS
R6020ENJTL
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Rohm Semiconductor
2.781
Vorrätig
1 : 3,38000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 1,17569 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
600 V
20 A (Tc)
10V
196mOhm bei 9,5A, 10V
4V bei 1mA
60 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
LPTS
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
TO-247N
SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Rohm Semiconductor
5.567
Vorrätig
1 : 9,00000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
SiCFET (Siliziumkarbid)
650 V
21 A (Tc)
18V
156mOhm bei 6,7A, 18V
5,6V bei 3,33mA
38 nC @ 18 V
+22V, -4V
460 pF @ 500 V
-
103W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
2.874
Vorrätig
1 : 10,00000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
SiCFET (Siliziumkarbid)
1200 V
17 A (Tc)
18V
208mOhm bei 5A, 18V
5,6V bei 2,5mA
42 nC @ 18 V
+22V, -4V
398 pF @ 800 V
-
103W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DW7HRTL
SCT4062KW7HRTL
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
276
Vorrätig
1 : 14,90000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 7,91988 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
SiCFET (Siliziumkarbid)
1200 V
24 A (Tc)
18V
81mOhm bei 12A, 18V
4,8V bei 6,45mA
64 nC @ 18 V
+21V, -4V
1498 pF @ 800 V
-
93W
175°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-263-7L
TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
TO-247N
SCT3080KLGC11
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Rohm Semiconductor
414
Vorrätig
1 : 20,21000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
SiCFET (Siliziumkarbid)
1200 V
31 A (Tc)
18V
104mOhm bei 10A, 18V
5,6V bei 5mA
60 nC @ 18 V
+22V, -4V
785 pF @ 800 V
-
165W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3040KLGC11
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Rohm Semiconductor
818
Vorrätig
1 : 24,94000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
SiCFET (Siliziumkarbid)
1200 V
55 A (Tc)
18V
52mOhm bei 20A, 18V
5,6V bei 10mA
107 nC @ 18 V
+22V, -4V
1337 pF @ 800 V
-
262W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DRHRC15
SCT4013DRC15
750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
490
Vorrätig
1 : 37,11000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
SiCFET (Siliziumkarbid)
750 V
105 A (Tc)
18V
16,9mOhm bei 58A, 18V
4,8V bei 30,8mA
170 nC @ 18 V
+21V, -4V
4580 pF @ 500 V
-
312W
175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247N
SCT3022KLGC11
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Rohm Semiconductor
328
Vorrätig
1 : 47,36000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
N-Kanal
SiCFET (Siliziumkarbid)
1200 V
95 A (Tc)
18V
28,6mOhm bei 36A, 18V
5,6V bei 18,2mA
178 nC @ 10 V
+22V, -4V
2879 pF @ 800 V
-
427W
175°C (TJ)
-
-
Durchkontaktierung
TO-247N
TO-247-3
RSC002P03T316
RSC002P03T316
MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Rohm Semiconductor
47.128
Vorrätig
1 : 0,16000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03207 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
250mA (Ta)
4V, 10V
1,4Ohm bei 250mA, 10V
2,5V bei 1mA
-
±20V
30 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SST3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SST3
RK7002BMT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Rohm Semiconductor
257.454
Vorrätig
1 : 0,17000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03320 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
250mA (Ta)
2,5V, 10V
2,4Ohm bei 250mA, 10V
2,3V bei 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SST3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Rohm Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.