RGCL80TK60GC11
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
RGCL80TK60GC11
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2H12NZGC11

DigiKey-Teilenr.
SCT2H12NZGC11-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCT2H12NZGC11
Beschreibung
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1700 V 3,7 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-3PFM
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,5Ohm bei 1,1A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 900µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
14 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
184 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3PFM
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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