N-Kanal 1200 V 26 A (Tc) 115W Durchkontaktierung TO-247N
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N-Kanal 1200 V 26 A (Tc) 115W Durchkontaktierung TO-247N
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

SCT4062KEC11

DigiKey-Teilenr.
846-SCT4062KEC11-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCT4062KEC11
Beschreibung
1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 26 A (Tc) 115W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,8V bei 6,45mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
64 nC @ 18 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+21V, -4V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1498 pF @ 800 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
115W
Technologie
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247N
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
81mOhm bei 12A, 18V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
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307,48800 €224,64 €
1206,42683 €771,22 €
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