SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCT2H12NYTB
DigiKey-Teilenr.	SCT2H12NYTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SCT2H12NYTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	SCT2H12NYTB
Beschreibung	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 4 A (Tc) 44W (Tc) Oberflächenmontage TO-268
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SCT2H12NYTB Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,5Ohm bei 1,1A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 410µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	184 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	44W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-268
Gehäuse / Hülle	TO-268-3, D3PAK (2 Pins + Lasche), TO-268AA
Basis-Produktnummer	SCT2H12