Name: SCT3022KLGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT3022KLGC11-ND
Price: 56.7035 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 95 A (Tc) 427W Durchkontaktierung TO-247N

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SCT3022KLGC11
DigiKey-Teilenr.	SCT3022KLGC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	SCT3022KLGC11
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 95 A (Tc) 427W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 18,2mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 178 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +22V, -4V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2879 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 427W
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 95 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247N
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 28,6mOhm bei 36A, 18V	Basis-Produktnummer SCT3022

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