IGBT-Module

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von 3.015

Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Gehäuse	Produktstatus	IGBT-Typ	Konfiguration	Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (max.)	Leistung - Max.	Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	Eingangskapazität (Cies) bei Vce	Eingang	NTC-Thermistor	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten

IXYN100N65C3H1 IGBT MOD 650V 166A 600W SOT227B IXYS	230 Vorrätig	1 : 31,59000 € Stange	XPT™, GenX3™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	650 V	166 A	600 W	2,3V bei 15V, 70A	50 µA	4.98 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 175°C (TJ)	Chassis, Bolzenbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
IXGN320N60A3 IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B IXYS	684 Vorrätig	1 : 34,32000 € Stange	GenX3™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	600 V	320 A	735 W	1,25V bei 15V, 100A	150 µA	18 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
VS-GT80DA120U IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	160 Vorrätig	1 : 35,24000 € Lose im Beutel	HEXFRED®	Lose im Beutel	Aktiv	Schlitz	Einzeln	1200 V	139 A	658 W	2,55V bei 15V, 80A	100 µA	4.4 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227
VS-GT180DA120U IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	236 Vorrätig	1 : 43,00000 € Stange	HEXFRED®	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	281 A	1087 W	2,05V bei 15V, 100A	100 µA	9.35 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227
IXGN200N60B3 IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B IXYS	932 Vorrätig	1 : 41,22000 € Stange	GenX3™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	600 V	300 A	830 W	1,5V bei 15V, 100A	50 µA	26 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
FZ400R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 400A 2400W Infineon Technologies	256 Vorrätig	1 : 123,11000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	400 A	2400 W	2,1V bei 15V, 400A	5 mA	28 nF @ 25 V	Standard	Ja	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FZ600R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 600A 3000W Infineon Technologies	48 Vorrätig	1 : 150,25000 € Tablett	C	Tablett	Aktiv	-	Einzeln	1200 V	600 A	3000 W	2,1V bei 15V, 600A	5 mA	1.7 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 125°C	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FF200R17KE3HOSA1 IGBT MOD 1700V 310A 1250W Infineon Technologies	36 Vorrätig	1 : 166,58000 € Tablett	C	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Halbbrücke	1700 V	310 A	1250 W	2,45V bei 15V, 200A	3 mA	18 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 125°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
IXXN110N65C4H1 IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B IXYS	373 Vorrätig	1 : 29,96000 € Stange	XPT™, GenX4™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	650 V	210 A	750 W	2,35V bei 15V, 110A	50 µA	3.69 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
VS-GT100DA120UF IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	138 Vorrätig	1 : 38,60000 € Lose im Beutel	HEXFRED®	Lose im Beutel	Aktiv	Schlitz	Einzeln	1200 V	187 A	890 W	2,55V bei 15V, 100A	100 µA	6.15 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227
FF400R07A01E3S6XKSA2 MOD IGBT MED PWR 14MDIP Infineon Technologies	201 Vorrätig	1 : 130,86000 € Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	Doppelt, gemeinsame Quelle	700 V	400 A	1500 W	2,3V bei 15V, 400A	100 µA	18000 pF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	PG-MDIP-14-1
FF300R12KT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 450A 1600W Infineon Technologies	69 Vorrätig	1 : 150,25000 € Tablett	C	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Halbbrücke	1200 V	450 A	1600 W	2,15V bei 15V, 300A	5 mA	19 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT MOD 1200V 75A 385W Infineon Technologies	37 Vorrätig	1 : 168,78000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Dreiphasiger Umrichter	1200 V	75 A	385 W	2,15V bei 15V, 75A	1 mA	4.3 nF @ 25 V	Standard	Ja	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FP75R12KE3BOSA1 IGBT MOD 1200V 105A 355W Infineon Technologies	62 Vorrätig	1 : 184,13000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	NPT	Einzeln	1200 V	105 A	355 W	2,2V bei 15V, 75A	5 mA	5.3 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 125°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FF450R12KT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 580A 2400W Infineon Technologies	32 Vorrätig	1 : 198,45000 € Tablett	C	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Halbbrücke	1200 V	450 A	2400 W	2,15V bei 15V, 450A	5 mA	28 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FS150R12KE3BOSA1 IGBT MOD 1200V 200A 700W Infineon Technologies	55 Vorrätig	1 : 244,63000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	NPT	Dreiphasiger Umrichter	1200 V	200 A	700 W	2,15V bei 15V, 150A	5 mA	10.5 nF @ 25 V	Standard	Ja	-40°C bis 125°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
APTGT600U170D4G IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4 Microchip Technology	45 Vorrätig	1 : 399,41000 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1700 V	1100 A	2900 W	2,4V bei 15V, 600A	1 mA	51 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	D4	D4
IXYN140N120A4 IGBT 140A 1200V SOT227B MINIBLOC IXYS	118 Vorrätig 30 Fabrik	1 : 45,42000 € Stange	XPT™, GenX4™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	1200 V	380 A	1070 W	1,7V bei 15V, 140A	25 µA	8.3 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
APT45GP120JDQ2 IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP Microchip Technology	144 Vorrätig	1 : 40,98000 € Stange	POWER MOS 7®	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	1200 V	75 A	329 W	3,9V bei 15V, 45A	750 µA	4 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	ISOTOP	ISOTOP®
FP35R12KT4BPSA1 LOW POWER ECONO Infineon Technologies	36 Vorrätig	1 : 99,91000 € Tablett	EconoPIM™ 2	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Dreiphasiger Umrichter	1200 V	25 A	210 W	2,25V bei 15V, 35A	1 mA	2 nF @ 25 V	Dreiphasiger Brückengleichrichter	Ja	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	AG-ECONO2-8
FP40R12KT3BPSA1 LOW POWER ECONO Infineon Technologies	37 Vorrätig	1 : 109,14000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	-	Dreiphasiger Umrichter	1200 V	55 A	105 W	2,3V bei 15V, 40A	5 mA	2.5 nF @ 25 V	Dreiphasiger Brückengleichrichter	Ja	-40°C bis 125°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	AG-ECONO2-8
FS100R12KT4GBOSA1 IGBT MOD 1200V 100A 515W Infineon Technologies	29 Vorrätig	1 : 174,03000 € Tablett	EconoPACK™ 3	Tablett	Nicht für Neukonstruktionen	Trench Feldstopp	Dreiphasiger Umrichter	1200 V	100 A	515 W	2,2V bei 15V, 100A	1 mA	6.3 nF @ 25 V	Standard	Ja	-40°C bis 150°C	Chassisbefestigung	Modul	Modul
APT75GN120JDQ3 IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP Microchip Technology	236 Vorrätig	1 : 34,24000 € Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	124 A	379 W	2,1V bei 15V, 75A	200 µA	4.8 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	ISOTOP	ISOTOP®
MIEB101H1200EH IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3 IXYS	39 Vorrätig	1 : 131,13000 € Box	-	Box	Aktiv	-	Vollbrückenumrichter	1200 V	183 A	630 W	2,2V bei 15V, 100A	300 µA	7.43 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 125°C (TJ)	Chassisbefestigung	E3	E3
IM241S6T2BAKMA1 CIPOS MICRO Infineon Technologies	717 Vorrätig	1 : 8,38000 € Stange	IM241, CIPOS™	Stange	Aktiv	-	Dreiphasiger Umrichter	600 V	-	9 W	1,78V bei 15V, 500mA	-	-	Standard	Ja	-40°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	-	23-DIP

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IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) sind Leistungshalbleiterkomponenten mit drei Anschlüssen, die hohe Effizienz und kurze Schaltzeiten bieten und in erster Linie als elektronische Schalter eingesetzt werden. Als Module sind die IGBTs in Form von asymmetrischen Brücken, Aufwärts-, Abwärts- und Brems-Chopper, Vollbrücken-, Drei-Ebenen- und Drei-Phasen-Wechselrichter konfiguriert. Einige verfügen über integrierte NTC-Thermistoren zur Temperaturüberwachung. Die Unterscheidung der IGBT-Module erfolgt nach maximaler Leistung, Kollektorstrom, Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung und -Konfiguration.

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