IGBT-Module

Angezeigt werden

von 2.734

Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	IGBT-Typ	Konfiguration	Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (max.)	Leistung - Max.	Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	Eingangskapazität (Cies) bei Vce	Eingang	NTC-Thermistor	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten
IXYN110N120C4H1 1200V, 110A, XPT GEN4 C4 CO-PACK IXYS	226 Vorrätig	1 : 38,39000 € Stange	XPT™	Stange	Aktiv	Schlitz	Einzeln	1200 V	210 A	830 W	2,4V bei 15V, 110A	50 µA	5420 pF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
VS-GT180DA120U IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	264 Vorrätig	1 : 39,60000 € Stange	HEXFRED®	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	281 A	1087 W	2,05V bei 15V, 100A	100 µA	9.35 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227
IXDN75N120 IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B IXYS	320 Vorrätig	1 : 40,87000 € Stange	-	Stange	Aktiv	NPT	Einzeln	1200 V	150 A	660 W	2,7V bei 15V, 75A	4 mA	5.5 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
APT150GN120J IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP Microchip Technology	347 Vorrätig	1 : 41,73000 € Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	215 A	625 W	2,1V bei 15V, 150A	100 µA	9.5 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	ISOTOP	ISOTOP®
IXGN100N170 IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B IXYS	280 Vorrätig	1 : 50,05000 € Stange	-	Stange	Aktiv	NPT	Einzeln	1700 V	160 A	735 W	3V bei 15V, 100A	50 µA	9.22 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
FZ400R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 400A 2400W Infineon Technologies	100 Vorrätig	1 : 78,17000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	400 A	2400 W	2,1V bei 15V, 400A	5 mA	28 nF @ 25 V	Standard	Ja	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FF200R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 260A 680W Infineon Technologies	16 Vorrätig 164 Marktplatz	1 : 86,30000 € Tablett 4 : 77,62500 € Lose im Beutel	C	Lose im Beutel Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Halbbrücke	600 V	260 A	680 W	1,9V bei 15V, 200A	5 mA	-	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FZ600R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 600A 3000W Infineon Technologies	40 Vorrätig	1 : 95,59000 € Tablett	C	Tablett	Aktiv	-	Einzeln	1200 V	600 A	3000 W	2,1V bei 15V, 600A	5 mA	1.7 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 125°C	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FF400R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 500A 1250W Infineon Technologies	46 Vorrätig	1 : 117,19000 € Tablett	C	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Halbbrücke	600 V	500 A	1250 W	1,9V bei 15V, 400A	5 mA	-	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FF450R12KT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 580A 2400W Infineon Technologies	34 Vorrätig	1 : 120,85000 € Tablett	C	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Halbbrücke	1200 V	450 A	2400 W	2,15V bei 15V, 450A	5 mA	28 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FZ600R17KE4HOSA1 IGBT MOD 1700V 1200A 3350W Infineon Technologies	31 Vorrätig	1 : 121,02000 € Tablett	C	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1700 V	1200 A	3350 W	2,3V bei 15V, 600A	1 mA	49 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FZ900R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 900A 4300W Infineon Technologies	67 Vorrätig	1 : 136,92000 € Tablett	C	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	900 A	4300 W	2,1V bei 15V, 900A	5 mA	56 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
NXH800H120L7QDSG 1200V 800A QDUAL3 onsemi	29 Vorrätig 432 Fabrik	1 : 164,14000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Halbbrücke	1200 V	800 A	-	2,05V bei 15V, 800A	100 µA	94300 pF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	11-PIM (152x62,15)
FS1150R08A8P3LBCHPSA1 FS1150R08A8P3LBCHPSA1 Infineon Technologies	85 Vorrätig	1 : 405,97000 € Box	HybridPACK™	Box	Aktiv	-	Dreiphasiger Umrichter	750 V	1.15 kA	1 kW	1,21V bei 15V, 600A	1 mA	60800 pF @ 50 V	Standard	Nein	-40°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	-
IXXN200N60B3 IGBT MOD 600V 280A 940W SOT227B IXYS	155 Vorrätig	1 : 25,47000 € Stange	XPT™, GenX3™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	600 V	280 A	940 W	1,7V bei 15V, 100A	50 µA	9.97 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
IXXN110N65B4H1 IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B IXYS	228 Vorrätig	1 : 25,93000 € Stange	XPT™, GenX4™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	650 V	215 A	750 W	2,1V bei 15V, 110A	50 µA	3.65 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
APT75GN120JDQ3 IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP Microchip Technology	116 Vorrätig	1 : 31,74000 € Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	Einzeln	1200 V	124 A	379 W	2,1V bei 15V, 75A	200 µA	4.8 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	ISOTOP	ISOTOP®
IXYN85N120C4H1 1200V, 85A, XPT GEN4 C4 CO-PACK IXYS	200 Vorrätig	1 : 33,05000 € Stange	XPT™	Stange	Aktiv	Schlitz	Einzeln	1200 V	150 A	600 W	2,5V bei 15V, 85A	50 µA	4030 pF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 175°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
IXGN320N60A3 IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B IXYS	1.608 Vorrätig	1 : 38,08000 € Stange	GenX3™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	600 V	320 A	735 W	1,25V bei 15V, 100A	150 µA	18 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
APT75GP120JDQ3 IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP Microchip Technology	885 Vorrätig	1 : 41,46000 € Stange	POWER MOS 7®	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	1200 V	128 A	543 W	3,9V bei 15V, 75A	1.25 mA	7.04 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	ISOTOP	ISOTOP®
IXGN200N60B3 IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B IXYS	697 Vorrätig	1 : 49,45000 € Stange	GenX3™	Stange	Aktiv	PT	Einzeln	600 V	300 A	830 W	1,5V bei 15V, 100A	50 µA	26 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
VS-40MT120PHAPBF MTP - HALF BRIDGE IGBT Vishay General Semiconductor - Diodes Division	144 Vorrätig	1 : 53,70000 € Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	Halbbrücke	1200 V	75 A	305 W	2,65V bei 15V, 40A	50 µA	3.2 nF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	12-poliges MTP-Modul	12-MTP
PDMB100W12 IGBT MODULE, 2IN1, 1200V/100A KYOCERA AVX	42 Vorrätig	1 : 76,90000 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	-	Halbbrücke	1200 V	100 A	403 W	2V bei 15V, 100A	1 mA	10000 pF @ 25 V	Standard	Nein	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FS150R12KT4BOSA1 IGBT MOD 1200V 150A 750W Infineon Technologies	30 Vorrätig	1 : 108,41000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	Trench Feldstopp	Dreiphasiger Umrichter	1200 V	150 A	750 W	2,1V bei 15V, 150A	1 mA	-	Standard	Ja	-40°C bis 150°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul
FS150R12KE3BOSA1 IGBT MOD 1200V 200A 700W Infineon Technologies	28 Vorrätig	1 : 120,59000 € Tablett	-	Tablett	Aktiv	NPT	Dreiphasiger Umrichter	1200 V	200 A	700 W	2,15V bei 15V, 150A	5 mA	10.5 nF @ 25 V	Standard	Ja	-40°C bis 125°C (TJ)	Chassisbefestigung	Modul	Modul

Angezeigt werden

von 2.734

IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) sind Leistungshalbleiterkomponenten mit drei Anschlüssen, die hohe Effizienz und kurze Schaltzeiten bieten und in erster Linie als elektronische Schalter eingesetzt werden. Als Module sind die IGBTs in Form von asymmetrischen Brücken, Aufwärts-, Abwärts- und Brems-Chopper, Vollbrücken-, Drei-Ebenen- und Drei-Phasen-Wechselrichter konfiguriert. Einige verfügen über integrierte NTC-Thermistoren zur Temperaturüberwachung. Die Unterscheidung der IGBT-Module erfolgt nach maximaler Leistung, Kollektorstrom, Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung und -Konfiguration.

IGBT-Module

IGBT-Module

INFORMATION

HILFE

KONTAKT

FOLGEN SIE UNS