Name: FP75R12KE3BOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: FP75R12KE3BOSA1-ND
Price: 110.7771 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FP75R12KE3BOSA1
DigiKey-Teilenr.	FP75R12KE3BOSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	FP75R12KE3BOSA1
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 105A 355W MOD
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul NPT Einzeln 1200 V 105 A 355 W Chassisbefestigung Modul
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	NPT
Konfiguration	Einzeln
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	105 A
Leistung - Max.	355 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,2V bei 15V, 75A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	5 mA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	5.3 nF @ 25 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Nein
Betriebstemperatur	-40°C bis 125°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	Modul
Basis-Produktnummer	FP75R12

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