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Parametrisches Äquivalent
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHP21N80AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP21N80AE-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP21N80AE-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 25 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 235mOhm bei 11A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 72 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1388 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 32W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
0 auf Lager
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,53000 € | 4,53 € |
| 50 | 2,36360 € | 118,18 € |
| 100 | 2,15420 € | 215,42 € |
| 500 | 1,78730 € | 893,65 € |
| 1.000 | 1,68637 € | 1.686,37 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,53000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 5,39070 € |
Deutschland