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SIHW21N80AE-GE3 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Parametrisches Äquivalent
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHW21N80AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHW21N80AE-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHW21N80AE-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AD |
Standardlieferzeit des Herstellers | 25 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 235mOhm bei 11A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 72 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1388 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 32W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-247AD | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
0 auf Lager
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,86000 € | 4,86 € |
| 30 | 2,74500 € | 82,35 € |
| 120 | 2,27833 € | 273,40 € |
| 510 | 1,93625 € | 987,49 € |
| 1.020 | 1,85479 € | 1.891,89 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,86000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 5,78340 € |
Deutschland