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Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
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Parametrisches Äquivalent


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TO-263-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-263-3
TO-263-3

SIHB12N60E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHB12N60E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHB12N60E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
380mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
937 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
147W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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101,56900 €15,69 €
1001,08040 €108,04 €
5000,87130 €435,65 €
1.0000,80410 €804,10 €
2.0000,74761 €1.495,22 €
5.0000,72335 €3.616,75 €
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:2,43000 €
Stückpreis mit MwSt.:2,89170 €