Name: STB13NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB13NM60NTR-ND
Price: 6.0571 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STB13NM60N
DigiKey-Teilenr.	497-STB13NM60NTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-STB13NM60NCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-STB13NM60NDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STB13NM60N
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 90W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STB13NM60N Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ II
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	360mOhm bei 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	790 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	90W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	D2PAK
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	STB13