Name: SPB11N60C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB11N60C3ATMA1TR-ND
Price: 4.522 EUR
Availability: InStock

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SPB11N60C3ATMA1
DigiKey-Teilenr.	SPB11N60C3ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SPB11N60C3ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SPB11N60C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	SPB11N60C3ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SPB11N60C3ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 500µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 60 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1200 pF @ 25 V
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3-2
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 11 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer SPB11N60
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 380mOhm bei 7A, 10V

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Ersatzartikel (7)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
IPB60R360P7ATMA1	Infineon Technologies	1.888	IPB60R360P7ATMA1CT-ND	1,90000 €	Ähnlich
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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SPB11N60C3ATMA1