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N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 170W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP28N65M2

DigiKey-Teilenr.
497-STP28N65M2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP28N65M2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 170W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
35 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1440 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 10A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (18)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOT20S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.532785-1251-5-ND4,11000 ۀhnlich
AOT25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1514-5-ND2,22766 ۀhnlich
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Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:4,08170 €