20 A (Tc) Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
AOD454A MOSFET N-CH 40V 20A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	62.729 Vorrätig	1 : 0,96000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,24391 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	20 A (Tc)	4,5V, 10V	30mOhm bei 12A, 10V	3V bei 250µA	10.8 nC @ 10 V	±20V	650 pF @ 20 V	-	2,5W (Ta), 37W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
FDP20N50F MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3 onsemi	671 Vorrätig	1 : 3,64000 € Stange	UniFET™	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	500 V	20 A (Tc)	10V	260mOhm bei 10A, 10V	5V bei 250µA	65 nC @ 10 V	±30V	3390 pF @ 25 V	-	250W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220-3	TO-220-3
STB28N65M2 MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK STMicroelectronics	3.309 Vorrätig	1 : 3,96000 € Gurtabschnitt (CT) 1.000 : 1,41048 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	MDmesh™ M2	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	650 V	20 A (Tc)	10V	180mOhm bei 10A, 10V	4V bei 250µA	35 nC @ 10 V	±25V	1440 pF @ 100 V	-	170W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
SPP20N60S5XKSA1 HIGH POWER_LEGACY Infineon Technologies	1.480 Vorrätig	1 : 5,20000 € Stange	CoolMOS™	Stange	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	20 A (Tc)	10V	190mOhm bei 13A, 10V	5,5V bei 1mA	103 nC @ 10 V	±20V	3000 pF @ 25 V	-	208W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	PG-TO220-3-1	TO-220-3
IRFP460APBF MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Vishay Siliconix	3.745 Vorrätig	1 : 5,58000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	500 V	20 A (Tc)	10V	270mOhm bei 12A, 10V	4V bei 250µA	105 nC @ 10 V	±30V	3100 pF @ 25 V	-	280W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
FCB20N60FTM MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK onsemi	1.795 Vorrätig	1 : 6,01000 € Gurtabschnitt (CT) 800 : 2,25440 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	SuperFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	20 A (Tc)	10V	190mOhm bei 10A, 10V	5V bei 250µA	98 nC @ 10 V	±30V	3080 pF @ 25 V	-	208W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
FCB20N60TM MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK onsemi	1.582 Vorrätig	1 : 6,07000 € Gurtabschnitt (CT) 800 : 2,28793 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	SuperFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	20 A (Tc)	10V	190mOhm bei 10A, 10V	5V bei 250µA	98 nC @ 10 V	±30V	3080 pF @ 25 V	-	208W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
IRFP460PBF MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Vishay Siliconix	19.540 Vorrätig	1 : 8,04000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	500 V	20 A (Tc)	10V	270mOhm bei 12A, 10V	4V bei 250µA	210 nC @ 10 V	±20V	4200 pF @ 25 V	-	280W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3
DI020N06D1 MOSFET DPAK N 60V 0.024OHM 175C Diotec Semiconductor	4.844 Vorrätig	1 : 0,78000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,19097 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	20 A (Tc)	4,5V, 10V	35mOhm bei 20A, 10V	2,5V bei 250µA	25.3 nC @ 10 V	±20V	590 pF @ 15 V	-	45W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
BUK7M42-60EX MOSFET N-CH 60V 20A LFPAK33 Nexperia USA Inc.	4.319 Vorrätig	1 : 0,81000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 0,21338 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	20 A (Tc)	10V	42mOhm bei 5A, 10V	4V bei 1mA	9 nC @ 10 V	±20V	508 pF @ 25 V	-	36W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Anschlüsse)
DMP4047SK3-13 MOSFET P-CH 40V 20A TO252 Diodes Incorporated	27.914 Vorrätig	1 : 0,91000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,22670 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	40 V	20 A (Tc)	4,5V, 10V	45mOhm bei 4,4A, 10V	3V bei 250µA	23.2 nC @ 10 V	±20V	1328 pF @ 20 V	-	1,6W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TPN8R903NL,LQ MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	7.120 Vorrätig	1 : 1,04000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,25923 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVIII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	20 A (Tc)	4,5V, 10V	8,9mOhm bei 10A, 10V	2,3V bei 100µA	9.8 nC @ 4.5 V	±20V	820 pF @ 15 V	-	700mW (Ta), 22W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)	8-PowerVDFN
TSM480P06CP ROG MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO252 Taiwan Semiconductor Corporation	1.485 Vorrätig	1 : 1,08000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,27916 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	20 A (Tc)	4,5V, 10V	48mOhm bei 8A, 10V	2,2V bei 250µA	22.4 nC @ 10 V	±20V	1250 pF @ 30 V	-	66W (Tc)	-50°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
SISA14DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8 Vishay Siliconix	36.619 Vorrätig	1 : 1,11000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,27937 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	20 A (Tc)	4,5V, 10V	5,1mOhm bei 10A, 10V	2,2V bei 250µA	29 nC @ 10 V	+20V, -16V	1450 pF @ 15 V	-	3,57W (Ta), 26,5W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
IAUZ20N08S5L300ATMA1 MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32 Infineon Technologies	5.329 Vorrätig	1 : 1,28000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,30338 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™ 5	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	80 V	20 A (Tc)	4,5V, 10V	30mOhm bei 10A, 10V	2V bei 8µA	10.5 nC @ 10 V	±20V	599 pF @ 40 V	-	30W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	PG-TSDSON-8-32	8-PowerTDFN
DMP10H088SPS-13 MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Diodes Incorporated	2.440 Vorrätig	1 : 1,37000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,36814 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	20 A (Tc)	6V, 10V	83mOhm bei 4,4A, 10V	4V bei 250µA	27.7 nC @ 10 V	±25V	1808 pF @ 50 V	-	2,2W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke	PowerDI5060-8 (Typ UX)	8-PowerTDFN
IRLR9343TRPBF MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Infineon Technologies	8.853 Vorrätig	1 : 1,67000 € Gurtabschnitt (CT) 2.000 : 0,46283 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	HEXFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	55 V	20 A (Tc)	4,5V, 10V	105mOhm bei 3,4A, 10V	1V bei 250µA	47 nC @ 10 V	±20V	660 pF @ 50 V	-	79W (Tc)	-40°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
SQD19P06-60L_GE3 MOSFET P-CH 60V 20A TO252 Vishay Siliconix	1.707 Vorrätig	1 : 1,96000 € Gurtabschnitt (CT) 2.000 : 0,57624 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	20 A (Tc)	4,5V, 10V	55mOhm bei 19A, 10V	2,5V bei 250µA	41 nC @ 10 V	±20V	1490 pF @ 25 V	-	46W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
SQD19P06-60L_T4GE3 MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA Vishay Siliconix	2.142 Vorrätig	1 : 2,00000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,57661 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	20 A (Tc)	4,5V, 10V	55mOhm bei 19A, 10V	2,5V bei 250µA	41 nC @ 10 V	±20V	1490 pF @ 25 V	-	46W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
SI4114DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 20A 8SO Vishay Siliconix	244.846 Vorrätig	1 : 2,23000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,65412 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	20 A (Tc)	4,5V, 10V	6mOhm bei 10A, 10V	2,1V bei 250µA	95 nC @ 10 V	±16V	3700 pF @ 10 V	-	2,5W (Ta), 5,7W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
IRFI540NPBF MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP Infineon Technologies	1.036 Vorrätig	1 : 2,31000 € Stange	HEXFET®	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	20 A (Tc)	10V	52mOhm bei 11A, 10V	4V bei 250µA	94 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	54W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220AB voller Pack	TO-220-3 voller Pack
STL8N10LF3 MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6 STMicroelectronics	2.840 Vorrätig	1 : 2,39000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,69794 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	STripFET™ III	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	20 A (Tc)	5V, 10V	35mOhm bei 4A, 10V	3V bei 250µA	20.5 nC @ 10 V	±20V	970 pF @ 25 V	-	4,3W (Ta), 70W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	PowerFlat™ (5x6)	8-PowerVDFN
HUF76629D3ST MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA onsemi	1.265 Vorrätig	1 : 3,17000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,95201 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	UltraFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	20 A (Tc)	4,5V, 10V	52mOhm bei 20A, 10V	3V bei 250µA	46 nC @ 10 V	±16V	1285 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
IPP60R160P7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1 Infineon Technologies	372 Vorrätig	1 : 3,20000 € Stange	CoolMOS™ P7	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	650 V	20 A (Tc)	10V	160mOhm bei 6,3A, 10V	4V bei 350µA	31 nC @ 10 V	±20V	1317 pF @ 400 V	-	81W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	PG-TO220-3-1	TO-220-3
R6020ENJTL MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Rohm Semiconductor	303 Vorrätig	1 : 3,46000 € Gurtabschnitt (CT) 1.000 : 1,20493 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	600 V	20 A (Tc)	10V	196mOhm bei 9,5A, 10V	4V bei 1mA	60 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	40W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	LPTS	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB

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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

FETs, MOSFETs

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