IRF640 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 352
Stückpreis : 1,74000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 32.619
Stückpreis : 1,45000 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 4.351
Stückpreis : 3,01000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 232
Stückpreis : 2,32000 €
Datenblatt
TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF640

DigiKey-Teilenr.
497-2759-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF640
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 18 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRF640 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1560 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.