Name: IRF640NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF640NSTRLPBFTR-ND
Price: 1.9992 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF640NSTRLPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF640NSTRLPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF640NSTRLPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF640NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF640NSTRLPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 18 A (Tc) 150W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF640NSTRLPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	18 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	150mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	67 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1160 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	D2PAK
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IRF640