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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IRF640NPBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRF640NPBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRF640NPBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 200 V 18 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRF640NPBF Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Nicht für Neukonstruktionen | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 150mOhm bei 11A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 67 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1160 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 34.188
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 1,45000 € | 1,45 € |
| 50 | 0,69320 € | 34,66 € |
| 100 | 0,61890 € | 61,89 € |
| 500 | 0,48842 € | 244,21 € |
| 1.000 | 0,44644 € | 446,44 € |
| 2.000 | 0,41113 € | 822,26 € |
| 5.000 | 0,37293 € | 1.864,65 € |
| 10.000 | 0,37290 € | 3.729,00 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,45000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 1,72550 € |
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