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IXTP08N100D2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 238-IXTP08N100D2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTP08N100D2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 24 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IXTP08N100D2 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14.6 nC @ 5 V |
Herst. | Vgs (Max.) ±20V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 325 pF @ 25 V |
Verpackung Stange | Verlustleistung (max.) 60W (Tc) |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
FET-Typ | Montagetyp Durchkontaktierung |
Technologie | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V | Gehäuse / Hülle |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 21Ohm bei 400mA, 0V |
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,33000 € | 4,33 € |
| 50 | 2,23760 € | 111,88 € |
| 100 | 2,03560 € | 203,56 € |
| 500 | 1,68152 € | 840,76 € |
| 1.000 | 1,56784 € | 1.567,84 € |
| 2.000 | 1,47229 € | 2.944,58 € |
| 5.000 | 1,45558 € | 7.277,90 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,33000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 5,15270 € |
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