N-Kanal 1000 V 800mA (Tc) 42W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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IXTP08N100P

DigiKey-Teilenr.
IXTP08N100P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP08N100P
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 800mA (Tc) 42W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 50µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11.3 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
240 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
20Ohm bei 500mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 209
Bestand des Herstellers: 1.050
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,27000 €3,27 €
501,65020 €82,51 €
1001,49310 €149,31 €
5001,21782 €608,91 €
1.0001,12938 €1.129,38 €
2.0001,05504 €2.110,08 €
5.0000,99661 €4.983,05 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:3,89130 €