Name: IXTP08N100P
Brand: IXYS
SKU: IXTP08N100P-ND
Price: 3.7009 EUR
Availability: InStock

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IXTP08N100P
DigiKey-Teilenr.	IXTP08N100P-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTP08N100P
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1000 V 800mA (Tc) 42W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Polar
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	800mA (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	20Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	240 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	42W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IXTP08

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Menge

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1	3,11000 €	3,11 €
50	1,56720 €	78,36 €
100	1,41810 €	141,81 €
500	1,15664 €	578,32 €
1.000	1,07263 €	1.072,63 €
2.000	1,01280 €	2.025,60 €

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