Name: LND150N3-G
Brand: Microchip Technology
SKU: LND150N3-G-ND
Price: 0.6069 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

LND150N3-G
DigiKey-Teilenr.	LND150N3-G-ND
Hersteller	Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer	LND150N3-G
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	LND150N3-G Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1000Ohm bei 500µA, 0V
Herst. Microchip Technology	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Tasche	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 740mW (Ta)
FET-Typ N-Kanal, Verarmungsmodus	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-92-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30mA (Tj)	Gehäuse / Hülle TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 0V	Basis-Produktnummer LND150