Name: BSP149H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP149H6327XTSA1TR-ND
Price: 1.5708 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSP149H6327XTSA1
DigiKey-Teilenr.	BSP149H6327XTSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSP149H6327XTSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSP149H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSP149H6327XTSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT223-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSP149H6327XTSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	660mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	0V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,8Ohm bei 660mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 400µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	430 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,8W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-SOT223-4
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	BSP149