Name: BSS139H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS139H6327XTSA1TR-ND
Price: 0.5117 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSS139H6327XTSA1
DigiKey-Teilenr.	BSS139H6327XTSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSS139H6327XTSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSS139H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSS139H6327XTSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 250 V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT23
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSS139H6327XTSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	0V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	14Ohm bei 100µA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 56µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	3.5 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	76 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	360mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-SOT23
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	BSS139