TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	156.157 Vorrätig	1 : 0,12000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,02203 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9Ohm bei 100mA, 10V	2,1V bei 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	91.805 Vorrätig	1 : 0,13000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,02369 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5Ohm bei 100mA, 10V	2,1V bei 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3 Diotec Semiconductor	41.481 Vorrätig	1 : 0,13000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,02526 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	280mA (Ta)	5V, 10V	5Ohm bei 500mA, 10V	2,5V bei 250µA	-	±30V	50 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-TP MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	157.977 Vorrätig	1 : 0,14000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,02610 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm bei 500mA, 10V	2,5V bei 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	1,08W	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-TP MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	53.828 Vorrätig	1 : 0,15000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,02938 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Tj)	4,5V, 10V	3,5Ohm bei 220mA, 10V	1,5V bei 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	350mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	49.821 Vorrätig	1 : 0,15000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,02975 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm bei 50mA, 5V	2,5V bei 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 Diodes Incorporated	2.340 Vorrätig	1 : 0,16000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03083 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	380mA (Ta)	5V, 10V	2Ohm bei 500mA, 10V	2,5V bei 1mA	0.3 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	223.509 Vorrätig	1 : 0,17000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03251 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5Ohm bei 220mA, 10V	1,5V bei 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	173.905 Vorrätig	1 : 0,17000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03304 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6Ohm bei 500mA, 10V	2,3V bei 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002A-7 MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Diodes Incorporated	43.716 Vorrätig	1 : 0,17000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03251 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	180mA (Ta)	5V, 10V	6Ohm bei 115mA, 5V	2V bei 250µA	-	±20V	23 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	289.227 Vorrätig	1 : 0,18000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03520 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm bei 100mA, 5V	2V bei 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	241.685 Vorrätig	1 : 0,18000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03522 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5Ohm bei 240mA, 10V	2,5V bei 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW (Tj)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 onsemi	725.545 Vorrätig	1 : 0,19000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03903 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	115mA (Tc)	5V, 10V	7,5Ohm bei 500mA, 10V	2,5V bei 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	218.168 Vorrätig	1 : 0,19000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03756 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	170mA (Ta)	10V	6Ohm bei 170mA, 10V	2V bei 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RUC002N05T116 MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Rohm Semiconductor	138.970 Vorrätig	1 : 0,21000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,03961 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	200mA (Ta)	1,2V, 4,5V	2,2Ohm bei 200mA, 4,5V	1V bei 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SST3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDV301N MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 onsemi	863.586 Vorrätig	1 : 0,22000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04552 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	25 V	220mA (Ta)	2,7V, 4,5V	4Ohm bei 400mA, 4,5V	1,06V bei 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±8V	9.5 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C bis 155°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Infineon Technologies	181.476 Vorrätig	1 : 0,22000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04479 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	SIPMOS®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	170mA (Ta)	4,5V, 10V	8Ohm bei 170mA, 10V	2V bei 20µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	19 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2301L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	83.228 Vorrätig	1 : 0,22000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04415 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	120mOhm bei 2,8A, 4,5V	1,2V bei 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1,5W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN62D0U-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 Diodes Incorporated	79.450 Vorrätig	1 : 0,22000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04359 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	380mA (Ta)	1,8V, 4,5V	2Ohm bei 100mA, 4,5V	1V bei 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±20V	32 pF @ 30 V	-	380mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMBF170LT1G MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3 onsemi	68.118 Vorrätig	1 : 0,22000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04479 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	500mA (Ta)	10V	5Ohm bei 200mA, 10V	3V bei 1mA	-	±20V	60 pF @ 10 V	-	225mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SN7002NH6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Infineon Technologies	29.121 Vorrätig	1 : 0,22000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04443 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	SIPMOS®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	5Ohm bei 500mA, 10V	1,8V bei 26µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	45 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Infineon Technologies	206.027 Vorrätig	1 : 0,23000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04583 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	SIPMOS®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	230mA (Ta)	4,5V, 10V	3,5Ohm bei 230mA, 10V	1,4V bei 26µA	1.4 nC @ 10 V	±20V	41 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138Q-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	8.566 Vorrätig	1 : 0,23000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04625 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5Ohm bei 220mA, 10V	1,5V bei 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138 MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 onsemi	1.019.221 Vorrätig	1 : 0,24000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04854 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	50 V	220mA (Ta)	4,5V, 10V	3Ohm bei 500mA, 10V	1,6V bei 250µA	2.4 nC @ 10 V	±20V	27 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C bis 155°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123LT1G MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 onsemi	367.091 Vorrätig	1 : 0,24000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04868 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	100 V	170mA (Ta)	10V	6Ohm bei 100mA, 10V	2,6V bei 1mA	-	±20V	20 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

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