N-Kanal, Verarmungsmodus 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT223-4-21
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BSP149L6327

DigiKey-Teilenr.
2156-BSP149L6327-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BSP149L6327
Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT223-4-21
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,8Ohm bei 660mA, 10V
Herst.
Vgs(th) (max.) bei Id
1V bei 400µA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
14 nC @ 5 V
Verpackung
Lose im Beutel
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
430 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
1,8W (Ta)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-SOT223-4-21
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V, 10V
Gehäuse / Hülle
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 1.910
Nicht stornierbar / keine Rückgabe
MARKTPLATZPRODUKT
Wird in etwa 10 Tagen von Rochester Electronics LLC versendet
Es wird eine separate Versandpauschale von 77,34 € erhoben.
Maximales kauflimit
Um alle Kunden im Bereich Forschung und Entwicklung unterstützen zu können, gilt für dieses Produkt eine maximale Bestellmenge. Dieses Limit kann alle 30 Tage erworben werden; Bestellungen darüber hinaus können storniert werden.
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