N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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IXTP01N100D

DigiKey-Teilenr.
238-IXTP01N100D-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP01N100D
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
80Ohm bei 50mA, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 25µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
5.8 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
100 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1,1W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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