
SPP20N60S5XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-SPP20N60S5XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SPP20N60S5XKSA1 |
Beschreibung | HIGH POWER_LEGACY |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SPP20N60S5XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5,5V bei 1mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 103 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3000 pF @ 25 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3-1 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 13A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP150N65F | onsemi | 776 | FCP150N65FOS-ND | 5,45000 € | Ähnlich |
| SIHP24N65E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP24N65E-E3-ND | 5,85000 € | Ähnlich |
| SIHP24N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP24N65EF-GE3-ND | 2,23099 € | Ähnlich |
| STP26N60M2 | STMicroelectronics | 0 | STP26N60M2-ND | 1,18293 € | Ähnlich |
| STP28N65M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-STP28N65M2-ND | 3,43000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,42000 € | 4,42 € |
| 50 | 2,28760 € | 114,38 € |
| 100 | 2,08180 € | 208,18 € |
| 500 | 1,72130 € | 860,65 € |
| 1.000 | 1,60555 € | 1.605,55 € |
| 2.000 | 1,50827 € | 3.016,54 € |
| 5.000 | 1,49582 € | 7.479,10 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,42000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 5,25980 € |

