TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-220AB
TO-220AB

SIHP24N65EF-GE3

Digi-Key-Teilenr.
SIHP24N65EF-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP24N65EF-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
67 Wochen
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Kundenreferenz
Datenblatt  Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
-
Gehäuse
Stange
Product Status
Aktiv
FET-Typ
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
156mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2656 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1.0003,09057 €3.090,57 €
Zusätzliche Ressourcen
EigenschaftBeschreibung
Standardverpackung1.000