TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-220AB
TO-220AB

SIHP24N65EF-GE3

Digi-Key-Teilenr.
SIHP24N65EF-GE3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIHP24N65EF-GE3
Lieferant
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
53 Wochen
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Kundenreferenz
Datenblatt Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Auswählen
Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Gehäuse
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
24 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
156mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2656 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1.0003,05370 €3.053,70 €
Zusätzliche Ressourcen
EigenschaftBeschreibung
Standardverpackung1.000
Substitutes (6)
Teile-Nr.Hersteller Verfügbare MengeDigi-Key-Produktnr.Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FCP190N65FRochester Electronics, LLC80.3592156-FCP190N65F-OS-ND2,96000 ۀhnlich
IPP60R190C6XKSA1Infineon Technologies1.000IPP60R190C6XKSA1-ND3,24000 ۀhnlich
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