Name: SIHP24N65EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP24N65EF-GE3-ND
Price: 3.6771 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHP24N65EF-GE3
Digi-Key-Teilenr.	SIHP24N65EF-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHP24N65EF-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	67 Wochen
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Kundenreferenz
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Gehäuse	Stange
Product Status	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	24 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	156mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	122 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2656 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	SIHP24

Medien und Downloads

Ressourcentyp	Link
Datenblätter	SiHP24N65EF
Sonstige zugehörige Dokumente	Packaging Information
PCN Design/Spezifikation	Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019
Datenblatt (HTML)	SiHP24N65EF
EDA-Modelle	SIHP24N65EF-GE3 by SnapEDA