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IPW65R110CFDFKSA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPW65R110CFDFKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPW65R110CFDFKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPW65R110CFDFKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 1,3mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 118 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3240 pF @ 100 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 277,8W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-1 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 110mOhm bei 12,7A, 10V |
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Ersatzartikel (8)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R110CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 190 | 448-IPW65R110CFDFKSA2-ND | 5,96000 € | Parametrisches Äquivalent |
| FCH110N65F-F155 | onsemi | 360 | FCH110N65F-F155-ND | 7,81000 € | Ähnlich |
| FCH150N65F-F155 | onsemi | 262 | FCH150N65F-F155-ND | 6,99000 € | Ähnlich |
| SIHG33N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG33N65EF-GE3-ND | 7,35000 € | Ähnlich |
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