
FCH150N65F-F155 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FCH150N65F-F155-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FCH150N65F-F155 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 24A TO247 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 298W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FCH150N65F-F155 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 2,4mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 94 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3737 pF @ 100 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 298W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 150mOhm bei 12A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| NTHL110N65S3F | onsemi | 668 | NTHL110N65S3FOS-ND | 7,63000 € | Vom Hersteller empfohlen |
| IPW60R165CPFKSA1 | Infineon Technologies | 270 | IPW60R165CPFKSA1-ND | 4,93000 € | Ähnlich |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 282 | SCT3120ALGC11-ND | 9,05000 € | Ähnlich |
| SIHG24N65E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG24N65E-E3-ND | 2,87946 € | Ähnlich |
| STW24N60M2 | STMicroelectronics | 601 | 497-13594-5-ND | 3,19000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 6,99000 € | 6,99 € |
| 30 | 4,05300 € | 121,59 € |
| 120 | 3,40700 € | 408,84 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 6,99000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 8,31810 € |

